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三星預(yù)計(jì)今年下半年開發(fā)出基于 1c 工藝的 LPDDR6 內(nèi)存，并向高通等公司供貨

來(lái)源：責(zé)編：時(shí)間：2025-06-07 17:09:53 58觀看

導(dǎo)讀 6 月 6 日消息，據(jù) BusinessPost，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)在智能手機(jī)、IT 設(shè)備、機(jī)器人、自動(dòng)駕駛汽車等領(lǐng)域應(yīng)用的 LPDDR 技術(shù)上已逼近韓國(guó)水平，并已開始著手開發(fā)下一代 LPDDR6 技術(shù)。為了不被輕易趕超，三星電子 DS 部門副董事長(zhǎng)

6 月 6 日消息，據(jù) BusinessPost，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)在智能手機(jī)、IT 設(shè)備、機(jī)器人、自動(dòng)駕駛汽車等領(lǐng)域應(yīng)用的 LPDDR 技術(shù)上已逼近韓國(guó)水平，并已開始著手開發(fā)下一代 LPDDR6 技術(shù)。

為了不被輕易趕超，三星電子 DS 部門副董事長(zhǎng)全永鉉預(yù)計(jì)將在今年下半年通過(guò)“1c DRAM”工藝開發(fā)出下一代“LPDDR6”內(nèi)存并量產(chǎn)，計(jì)劃向高通等科技巨頭供貨。

半導(dǎo)體行業(yè)認(rèn)為，考慮到當(dāng)前開發(fā)速度，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)最早可能在 2026 年實(shí)現(xiàn) LPDDR6 量產(chǎn)（已于 2023 年底實(shí)現(xiàn) LPDDR5 商用），與三星電子的量產(chǎn)時(shí)間相差不足一年。

按照 DRAM 工藝的發(fā)展順序：1x（第一代）、1y（第二代）、1z（第三代）、1a（第四代）、1b（第五代）、1c（第六代）。隨著每一代的迭代，線寬都會(huì)變得更細(xì)，從而提高性能和能效。

SamMobile 此前報(bào)道稱，高通預(yù)計(jì)將在其下一代筆記本電腦 SoC“驍龍 X Elite 2”中采用 LPDDR6 內(nèi)存，而該芯片預(yù)計(jì)將于今年 9 月 23 日的驍龍峰會(huì)首發(fā)亮相，IT酷哥后續(xù)將保持關(guān)注。

BusinessPost 表示，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)已宣布在 2026 年前逐步停止生產(chǎn) DDR4 DRAM 并轉(zhuǎn)向 DDR5，其目標(biāo)是在今年年底前將月產(chǎn)量提高到 30 萬(wàn)片晶圓（約為三星電子 2024 年月產(chǎn)量的 45%）。

《電子時(shí)報(bào)》（DigiTimes）預(yù)計(jì)，到 2025 年底，DDR5、LPDDR5X 和 LPDDR5 將占長(zhǎng)鑫存儲(chǔ) DRAM 總產(chǎn)量的 60% 左右。

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《消息稱高通驍龍新品第二代自研 CPU 架構(gòu)提升 25％±，支持 LPDDR6》

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