2 月 23 日消息,英特爾昨天更新了其半導(dǎo)體 Foundry 相關(guān)頁(yè)面的介紹,并宣布其“四年五個(gè)節(jié)點(diǎn)”(現(xiàn)在是四個(gè)節(jié)點(diǎn)了)計(jì)劃中最后也是最為重要的 Intel 18A 工藝準(zhǔn)備就緒,計(jì)劃于今年上半年開始流片。
18A 制程的成熟標(biāo)志著英特爾 IDM 2.0 戰(zhàn)略的重大突破,同時(shí)被視為英特爾代工服務(wù)(IFS)重鑄往日榮光的關(guān)鍵信號(hào),對(duì)于已經(jīng)退休的英特爾前 CEO Pat Gelsinger 來(lái)說(shuō)絕對(duì)是好消息。
就目前已知信息,英特爾下一代移動(dòng)處理器Panther Lake 至少有一部分將基于 Intel 18A 工藝制造。
英特爾表示,Panther Lake 芯片計(jì)劃于今年下半年發(fā)布并投產(chǎn),不過(guò)Intel 18A 初期產(chǎn)能有限,所以搭載該芯片的筆記本電腦預(yù)計(jì)要等到 2026 年才會(huì)大批量上市。
此外,英特爾將于 2026 年推出下一代 Nova Lake 桌面處理器。這兩款產(chǎn)品承載了英特爾復(fù)興的希望,英特爾認(rèn)為它們的到來(lái)將顯著改善該公司的收入情況。
英特爾還計(jì)劃在明年上半年推出的首款基于 Intel 18A 的服務(wù)器產(chǎn)品 Clearwater Forest(最初計(jì)劃 2025 年發(fā)布)。英特爾表示,今年的主題是提高“至強(qiáng)”的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)地位,從而努力縮小與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的差距。
說(shuō)回 Intel 18A 工藝,英特爾稱其采用了業(yè)界首創(chuàng)的 PowerVia 背面供電技術(shù),以及 RibbonFET 全環(huán)繞柵極(GAA)晶體管技術(shù),相較于 Intel 3 工藝密度提升 30%、單位功耗性能提升 15%。
據(jù)行業(yè)分析,其 SRAM 密度已與臺(tái)積電 N2 制程持平,甚至在功耗和性能平衡把控方面更具競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。
IT酷哥從官方獲悉,PowerVia 背面供電技術(shù)通過(guò)將供電層與信號(hào)層分離,實(shí)現(xiàn)芯片密度和單元利用率提升 5%-10%。相比傳統(tǒng)正面供電設(shè)計(jì),其電阻壓降(IR Drop)顯著降低,在相同功耗條件下可實(shí)現(xiàn)最高 4% 的性能提升。
RibbonFET 全環(huán)繞柵極晶體管技術(shù)采用納米帶(Nanoribbon)結(jié)構(gòu),實(shí)現(xiàn)對(duì)電流的精確控制,可在芯片元件微縮化進(jìn)程中有效降低漏電率,有效緩解高密度芯片的功耗問(wèn)題。
英特爾表示,Intel 18A 技術(shù)作為 IFS 的核心競(jìng)爭(zhēng)力,憑借多項(xiàng)突破性創(chuàng)新,將成為北美地區(qū)首個(gè)量產(chǎn)落地的 2nm 以下先進(jìn)制程節(jié)點(diǎn),為全球客戶提供供應(yīng)鏈多元化選擇。
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