12月15日消息，在第69屆IEEE 國(guó)際電子器件會(huì)議（IEDM）上，國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)第一大廠長(zhǎng)鑫帶來(lái)了一篇淪為，其在技術(shù)上有了突破，可以搞定3nm技術(shù)芯片。VNb28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

從長(zhǎng)鑫發(fā)表的論文看，這是展示了其在環(huán)繞式閘極結(jié)構(gòu)（Gate-All-Around，GAA）技術(shù)上的突破，而它可以用在3nm工藝制程芯片上，而當(dāng)然也是可以向下搞定5nm、7nm、10nm和14nm。VNb28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

由于設(shè)備制程管制，長(zhǎng)鑫現(xiàn)在還無(wú)法生產(chǎn)和制造，但這個(gè)論文已經(jīng)顯示，他們擁有了這個(gè)技術(shù)實(shí)力，而這樣而是國(guó)產(chǎn)芯片自主突破的一個(gè)縮影。VNb28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

VNb28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

在這之前，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)正式推出LPDDR5系列產(chǎn)品，包括12Gb的LPDDR5顆粒，POP封裝的12GB LPDDR5芯片及DSC封裝的6GB LPDDR5芯片。VNb28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)也是國(guó)內(nèi)首家推出自主研發(fā)生產(chǎn)的LPDDR5產(chǎn)品的品牌，實(shí)現(xiàn)了國(guó)內(nèi)市場(chǎng)零的突破。VNb28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

LPDDR5芯片是第五代超低功耗雙倍速率動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。與上一代LPDDR4X相比，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)LPDDR5單一顆粒的容量和速率均提升50%，分別達(dá)到12Gb和6400Mbps，同時(shí)功耗降低30%。VNb28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

VNb28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

本文鏈接：http://www.tebozhan.com/showinfo-25-46353-0.html國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)第一大廠長(zhǎng)鑫突破封鎖：發(fā)布GAA技術(shù)相關(guān)論文 可用在3nm芯片上

聲明：本網(wǎng)頁(yè)內(nèi)容旨在傳播知識(shí)，若有侵權(quán)等問(wèn)題請(qǐng)及時(shí)與本網(wǎng)聯(lián)系，我們將在第一時(shí)間刪除處理。郵件：2376512515@qq.com

上一篇： 砸了14億！騰訊首款派對(duì)游戲《元夢(mèng)之星》今日開(kāi)服：配置需求公布

下一篇： 安卓機(jī)皇來(lái)了！三星S24 Ultra展望：2億像素主攝在驍龍8 Gen3機(jī)型中極為罕見(jiàn)