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三星電子宣布，已完成開發全球首款32Gb(4GB) DDR5內存芯片，迄今業界密度高，可據此打造1TB容量的內存條。
就在此前5月份，三星剛剛開始量產16Gb(2GB)容量的DDR5內存芯片，頻率高達7200MT/s。
新的32Gb DDR5內存芯片，繼續采用12nm級別工藝制造，相比三星1983年推出的4Kb容量的第一款內存產品，容量已經增加了50多萬倍！
不過，三星并未披露具體頻率。
此前的128GB DDR5內存條，必須使用TSV硅穿孔技術，堆疊多顆芯片才能達成，而現在有了單顆64Gb，就不需要TSV堆疊了，從而將功耗降低大約10％。
只需要8顆這樣的芯片，就能達成單條32GB容量。
更進一步，使用8-Hi 3DS堆疊技術將8顆32Gb芯片整合在一起，然后在一條內存上安裝32顆，就能達成單條1TB容量！
有了它，AMD EPYC 9004這樣支持12通道內存的服務器平臺上，就可以實現單路系統12TB內存。
三星計劃在今年底量產32Gb DDR5內存芯片。
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