11月27日消息,近日有著“浸潤式光刻之父”之稱的林本堅(Burn Lin)在接受采訪時表示,依靠DUV光刻機繼續(xù)將制程工藝從7nm推向5nm是可能,但是需要付出高昂的代價。
報道稱,由于美日荷對華半導(dǎo)體設(shè)備的限制,使得中國不僅難以獲得可以制造先進制程的半導(dǎo)體設(shè)備,同時更為先進的EUV光刻機也無法獲得。這也使得中國繼續(xù)將制裁工藝推進到5nm將會面臨困境。
不過,林本堅表示,依托現(xiàn)有的DUV光刻機(浸沒式)制造出5nm芯片依然是可行的,但是至少需要進行四重曝光。不幸的是,這種工藝的缺點是不僅耗時,而且價格昂貴,還會影響整體良率。
特別是在使用 DUV 機器時,在多次曝光期間需要精確對準(zhǔn),這可能需要時間,并且有可能發(fā)生未對準(zhǔn)的情況,從而導(dǎo)致產(chǎn)量降低和制造這些晶圓的時間大幅增加。
林本堅表示,浸沒式DUV光刻技術(shù)高可以實現(xiàn)六重光刻模式,可以實現(xiàn)更先進的工藝,但問題同樣來自上述相關(guān)缺點。
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