快科技11月12日消息,據國內媒體報道稱,中國大閃存芯片制造商長江存儲在美國起訴美光,后者侵犯了專利。
長江存儲在起訴書中提到,美光使用長江存儲的專利技術,以抵御來自長江存儲的競爭,并獲得和保護市場份額。
訴訟旨在解決以下問題的一個方面:美光試圖通過迫使長江存儲退出3D NAND Flash(閃存)市場來阻止競爭和創新。
據悉,長江存儲指控美光侵犯了美國專利號為“10,950,623”“11,501,822”“10,658,378”“10,937,806”“10,861,872”“11,468,957”“11,600,342”和“10,868,031”的專利。
美光被控侵權的產品包括96層、128層、176層和232層3D NAND產品。
去年11月,分析和跟蹤閃存市場的TechInsights公司得出結論:長江存儲是3D NAND閃存領域的領導者,超過了美光。
有相關專家表示,如果按照上述這份起訴書來看,長江存儲專利幾乎可以讓他們贏下對美光的官司,只要法官沒有偏袒的意思,這也直接展示了,中國存儲巨大進步。
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