快科技11月12日消息,據(jù)國(guó)內(nèi)媒體報(bào)道稱,中國(guó)大閃存芯片制造商長(zhǎng)江存儲(chǔ)在美國(guó)起訴美光,后者侵犯了專利。
長(zhǎng)江存儲(chǔ)在起訴書中提到,美光使用長(zhǎng)江存儲(chǔ)的專利技術(shù),以抵御來自長(zhǎng)江存儲(chǔ)的競(jìng)爭(zhēng),并獲得和保護(hù)市場(chǎng)份額。
訴訟旨在解決以下問題的一個(gè)方面:美光試圖通過迫使長(zhǎng)江存儲(chǔ)退出3D NAND Flash(閃存)市場(chǎng)來阻止競(jìng)爭(zhēng)和創(chuàng)新。
據(jù)悉,長(zhǎng)江存儲(chǔ)指控美光侵犯了美國(guó)專利號(hào)為“10,950,623”“11,501,822”“10,658,378”“10,937,806”“10,861,872”“11,468,957”“11,600,342”和“10,868,031”的專利。
美光被控侵權(quán)的產(chǎn)品包括96層、128層、176層和232層3D NAND產(chǎn)品。
去年11月,分析和跟蹤閃存市場(chǎng)的TechInsights公司得出結(jié)論:長(zhǎng)江存儲(chǔ)是3D NAND閃存領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者,超過了美光。
有相關(guān)專家表示,如果按照上述這份起訴書來看,長(zhǎng)江存儲(chǔ)專利幾乎可以讓他們贏下對(duì)美光的官司,只要法官?zèng)]有偏袒的意思,這也直接展示了,中國(guó)存儲(chǔ)巨大進(jìn)步。
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