盧偉冰長(zhǎng)文解析K60至尊版 對(duì)Redmi有著里程碑式的意義
在今天的Redmi后性能時(shí)代戰(zhàn)略發(fā)布會(huì)結(jié)束之后，Redmi總經(jīng)理盧偉冰又帶來(lái)了一篇長(zhǎng)文，詳解了為什么 Redmi 要開啟后性能時(shí)代？為什么選擇和 MediaTek、Pixelworks 深度合作？以及后性
大家在購(gòu)買DIY配件的時(shí)候，看到的內(nèi)存類型是DDR（例如DDR4、DDR5），而購(gòu)買筆記本、智能手機(jī)/平板電腦等產(chǎn)品看到的卻是LPDDR（例如LPDDR4，LPDDR5，以及增強(qiáng)版的LPDDR5x、LPDDR5t等）。
同樣都是內(nèi)存，DDR和LPDDR有什么不一樣呢？
從應(yīng)用的場(chǎng)景看，DDR內(nèi)存更注重性能的釋放，架構(gòu)設(shè)計(jì)偏向于滿足高帶寬和持續(xù)高速運(yùn)算的需求，這意味著DDR不僅有更高的容量，運(yùn)行頻率也更高。
在使用場(chǎng)景方面，DDR內(nèi)存通常是將多個(gè)DRAM顆粒焊接在一塊標(biāo)準(zhǔn)化接口的直插式電路板上，即我們所說(shuō)的內(nèi)存條，應(yīng)用場(chǎng)景方面分為臺(tái)式機(jī)、服務(wù)器和筆記本幾種型號(hào)。
LPDDR全稱是Low Power DDR，設(shè)計(jì)核心在于低功耗，它優(yōu)化了架構(gòu)、簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì)并采用更先進(jìn)的半導(dǎo)體制程工藝，擁有更低的工作電壓。
例如DDR5通常使用1.1V，開啟XMP甚至能達(dá)到1.4V。
而LPDDR5擁有兩種電壓模式，當(dāng)系統(tǒng)有負(fù)載運(yùn)行時(shí)，內(nèi)核和I/O操作的電壓分別為1.05V和0.5V，空閑時(shí)分別降至0.9V和0.3V，這對(duì)于提升電池續(xù)航是大有裨益的。
同時(shí)，LPDDR還擁有更高的存儲(chǔ)密度，例如新的LPDDR5x單顆DRAM芯片就能達(dá)到32GB，滿足移動(dòng)設(shè)備高集成度的要求，例如智能手機(jī)、平板電腦以及超薄筆記本或者二合一本。
不過(guò)LPDDR往往不是以直插內(nèi)存條形式存在（除了LPCAMM2），而是通過(guò)BGA焊接主板上，甚至集成在SOC上，例如蘋果Silicon和英特爾Lunar Lake移動(dòng)處理器。
性能方面，通常來(lái)說(shuō)LPDDR是無(wú)法與DDR相抗衡的，例如DDR5內(nèi)存條可實(shí)現(xiàn)8800MT/s以上的性能，而LPDDR5通常是在6400MT/s左右。
不過(guò)LPDDR家族中帶x后綴的產(chǎn)品在低功耗狀態(tài)下仍能實(shí)現(xiàn)較高的效能，例如聯(lián)想ThinkBook X、是榮耀MagicBook Pro 14等筆記本的LPDDR5x內(nèi)存性能已能達(dá)到8400MT/s。
總結(jié)來(lái)說(shuō)，DDR內(nèi)存和LPDDR內(nèi)存的技術(shù)路線完全不同，差異源于不同使用場(chǎng)景的設(shè)計(jì)優(yōu)化，前者注重性能和擴(kuò)展性，后者以低功耗、小體積和高效能比為核心優(yōu)勢(shì)，雖然犧牲了擴(kuò)展性，但進(jìn)一步減小了體積和功耗，符合移動(dòng)設(shè)備的設(shè)計(jì)理念，而且?guī)в衳后綴的產(chǎn)品在性能方面表現(xiàn)甚至不遜于DDR。
不過(guò)使用LPDDR內(nèi)存的設(shè)備基本是無(wú)法擴(kuò)展的，購(gòu)買的時(shí)候一定要注意。
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