一加Ace2 Pro官宣：普及16G內(nèi)存 引領(lǐng)24G
一加官方今天繼續(xù)為本月發(fā)布的新機一加Ace2 Pro帶來預(yù)熱，公布了內(nèi)存方面的信息。“淘汰 8GB ，12GB 起步，16GB 普及，24GB 引領(lǐng)，還有呢？#一加Ace2Pro#，2023 年 8 月，敬請期待。”同時
快科技8月18日消息，對于華為麒麟處理器來說，這絕對是一個不錯的消息。
現(xiàn)在，有博主爆料稱，外界盛傳的國產(chǎn)N+3（外界盛傳達(dá)到125mtr）工藝消息大概率是靠譜的，因為專利顯示的H210G56指標(biāo)，計算下來就是125mtr的布線密度。
博主表示，如果真成了，那也意味著國產(chǎn)5nm工藝就達(dá)成穩(wěn)了。
據(jù)悉，中芯國際的N+3工藝具有顯著的晶體管密度，達(dá)到了125MTr/mm（即每平方毫米125億個晶體管）。這一密度介于臺積電的N6（113MTr/mm）與三星早期的5nm（127MTr/mm）工藝之間，相當(dāng)于臺積電的5.5nm工藝水平。
若以14nm工藝為基點（密度約35MTr/mm），N+3的密度提升幅度超過了250%，這標(biāo)志著中芯國際在FinFET架構(gòu)上的持續(xù)優(yōu)化能力。
盡管N+3的命名容易讓人聯(lián)想到“等效5nm”，但其實際性能功耗表現(xiàn)對標(biāo)的是臺積電的N7P（7nm增強版）和N6工藝。這意味著在相同晶體管數(shù)量下，中芯國際N+3的能效可能比臺積電的N5/N4工藝落后約15%~20%，這主要受限于EUV光刻機的短缺導(dǎo)致的工藝復(fù)雜度不足。然而，對于長期依賴成熟制程的國產(chǎn)芯片而言，這一進(jìn)步已經(jīng)足夠打破多項技術(shù)瓶頸。
之前有行業(yè)人士表示，華為海思麒麟芯片若采用N+3工藝，其性能有望接近驍龍888水平，足以支撐中高端手機市場的需求。有業(yè)內(nèi)人士猜測，麒麟9300可能會搭載這一工藝。
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