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史上快存儲速度！復(fù)旦大學(xué)研制出超高速閃存：未來電腦將不存在內(nèi)外存概念

來源： 責(zé)編： 時間：2025-04-17 06:43:32 10觀看
導(dǎo)讀 快科技4月17日消息，日前，復(fù)旦大學(xué)宣布，時隔2周，繼二維半導(dǎo)體芯片之后，復(fù)旦集成電路領(lǐng)域再獲關(guān)鍵突破。據(jù)介紹，復(fù)旦大學(xué)周鵬、劉春森團隊通過構(gòu)建準(zhǔn)二維泊松模型，在理論上預(yù)測了超注入現(xiàn)象，打破了現(xiàn)有存儲速度的理論

快科技4月17日消息，日前，復(fù)旦大學(xué)宣布，時隔2周，繼二維半導(dǎo)體芯片之后，復(fù)旦集成電路領(lǐng)域再獲關(guān)鍵突破。LKQ28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

據(jù)介紹，復(fù)旦大學(xué)周鵬、劉春森團隊通過構(gòu)建準(zhǔn)二維泊松模型，在理論上預(yù)測了超注入現(xiàn)象，打破了現(xiàn)有存儲速度的理論極限，研制“破曉（PoX）”皮秒閃存器件。LKQ28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

其擦寫速度可提升至亞1納秒（400皮秒），相當(dāng)于每秒可執(zhí)行25億次操作，性能超越同技術(shù)節(jié)點下世界快的易失性存儲SRAM技術(shù)。LKQ28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

相關(guān)成果以《亞納秒超注入閃存》為題在《自然》期刊上發(fā)表。LKQ28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

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據(jù)了解，這是迄今為止世界上快的半導(dǎo)體電荷存儲技術(shù)，實現(xiàn)了存儲、計算速度相當(dāng)，在完成規(guī)模化集成后有望徹底顛覆現(xiàn)有的存儲器架構(gòu)。LKQ28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

在該技術(shù)基礎(chǔ)上，未來的個人電腦將不存在內(nèi)存和外存的概念，無需分層存儲，還能實現(xiàn)AI大模型的本地部署。LKQ28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

團隊將“破曉”與CMOS結(jié)合，以此打造出的Kb級芯片目前已成功流片，下一步，計劃在3-5年將其集成到幾十兆的水平，屆時可授權(quán)給企業(yè)進行產(chǎn)業(yè)化。LKQ28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

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