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快科技4月17日消息，日前，復旦大學宣布，時隔2周，繼二維半導體芯片之后，復旦集成電路領域再獲關鍵突破。
據介紹，復旦大學周鵬、劉春森團隊通過構建準二維泊松模型，在理論上預測了超注入現象，打破了現有存儲速度的理論極限，研制“破曉（PoX）”皮秒閃存器件。
其擦寫速度可提升至亞1納秒（400皮秒），相當于每秒可執行25億次操作，性能超越同技術節點下世界快的易失性存儲SRAM技術。
相關成果以《亞納秒超注入閃存》為題在《自然》期刊上發表。
據了解，這是迄今為止世界上快的半導體電荷存儲技術，實現了存儲、計算速度相當，在完成規?；珊笥型麖氐最嵏铂F有的存儲器架構。
在該技術基礎上，未來的個人電腦將不存在內存和外存的概念，無需分層存儲，還能實現AI大模型的本地部署。
團隊將“破曉”與CMOS結合，以此打造出的Kb級芯片目前已成功流片，下一步，計劃在3-5年將其集成到幾十兆的水平，屆時可授權給企業進行產業化。
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