快科技10月18日消息,根據(jù)韓國媒體今天的報(bào)道,三星已經(jīng)確認(rèn)將其第5帶HBM3E產(chǎn)品命名為“Shinebolt”。隨著三星加快對HBM3E的開發(fā)和營銷,其有望追上SK海力士在該領(lǐng)域的步伐。
HBM屬于垂直連接多個(gè)DRAM,與DRAM相比顯著提升數(shù)據(jù)處理速度的高附加值、高性能產(chǎn)品。由于其性能優(yōu)勢,HBM通常被認(rèn)為是人工智能時(shí)代的DRAM內(nèi)存。
HBM DRAM產(chǎn)品以HBM(第一代)、HBM2(第二代)、HBM2E(第三代)、HBM3(第四代)、HBM3E(第五代)的順序開發(fā),其中HBM3E是HBM3的擴(kuò)展版本。
據(jù)相關(guān)人士透露,三星已經(jīng)開始向客戶提供Shinebolt樣品來進(jìn)行質(zhì)量測試,該樣品的規(guī)格為8層24GB。此外,三星還將很快完成12層36GB產(chǎn)品的開發(fā)。
與HBM3相比,Shinebolt的大數(shù)據(jù)傳輸速度(帶寬)提升了約50%,可達(dá)1.228TB/S。相當(dāng)于在1秒鐘內(nèi)傳輸了230部FHD高清電影(每部容量5GB)
HBM的關(guān)鍵在于每層之間的連接方式,三星從HBM生產(chǎn)之初就一直的采用是熱壓縮非導(dǎo)電薄膜(TC-NCF)工藝,而其老對手SK海力士則采用的是質(zhì)量回流成型底部填充(MR-MUF)工藝。當(dāng)然,這二者孰優(yōu)孰劣還是要交給市場來評判。
由于已經(jīng)在HBM的開發(fā)和生產(chǎn)速度上落后于SK海力士,三星也開始重新制定戰(zhàn)略來奪回市場定位。其中主要的就是加速開發(fā)可能改變HBM規(guī)則的“混合連接”工藝。
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