快科技2月14日消息,半導體研究機構TechInsights、SemiWiki公布了臺積電N2 2nm級別、Intel 18A 1.8nm級別兩大尖端工藝的諸多細節,并進行了正面對比,發現各有優勢。
但需要首先強調,因為目前官方資料還不全,而且不同廠商的工藝各有特色,很難直接對比優劣,所以本文僅供參考,實際表現取決于具體產品。
Intel 18A官方稱進展順利,將在今年下半年投入量產,首款產品代號Panther Lake,主要面向筆記本移動端。
臺積電N2也會在今年下半年大規模量產,首發客戶還是蘋果,AMD Zen6預計也會使用。
根據研究,臺積電N2的高密度標準單元(HD standard-cell)晶體管密度為每平方毫米3.13億個,超過Intel 18A的每平方毫米2.38億個、三星SF2(原名SF3P)的每平方毫米2.31億個。
當然,這里說的只是按照標準單元晶體管的統計,但在實際應用中,不同工藝節點有自己的特殊設計,比如臺積電的FinFlex、NanoFlex,不同產品更會使用不同的晶體管單元,包括高密度(HD)、高性能(HP)、低功耗(LP)。
性能方面,TechInsights相信,Intel 18A對比臺積電N2、三星SF2都有優勢,不過這個也取決于具體產品。
TechInsights的計算方法也存在疑問,因為他是以臺積電N16FF 16nm、三星14nm作為基準,按照各自宣布的提升幅度,計算而來的,肯定存在偏差。
另外,Intel 18A工藝引入了PowerVia背部供電技術,可以大大提升晶體管密度和性能,臺積電N2是沒有的。
功耗方面,TechInsights分析認為,臺積電N2要比三星SF2更省電,而能效也是臺積電的一貫優勢。
至于Intel方面,還需要觀察,相信不會太差。
本文鏈接:http://www.tebozhan.com/showinfo-24-130337-0.html臺積電2nm、Intel 18A工藝首次對比:一個更密、一個更快
聲明:本網頁內容旨在傳播知識,若有侵權等問題請及時與本網聯系,我們將在第一時間刪除處理。郵件:2376512515@qq.com