快科技2月12日消息,據韓國媒體報道,長鑫存儲(CXMT)正在加速開發下一代DRAM技術,其并未按原計劃為首款商用DDR5產品采用的17nm,而是直接采用了16nm制程技術。
下一代15nm制程技術也在現有制程基礎上進行開發中,目標是在2025年內開發出該技術,并快在2026年下半年就能達成商業化的目標。
長鑫存儲此前主要生產采用17-18nm制程的DDR4、LPDDR4X等成熟產品,2024年11月,該公司首次發布了LPDDR5產品,并在2025年稍早成功實現了DDR5的商業化目標。
長鑫存儲對此次DDR5采用的制程技術一直充滿信心,如今事實證明,其下一代制程開發速度比原計劃更快。
研究機構TechInsights表示,長鑫存儲在完成17nm制程技術開發后,緊接著完成了16nm制程技術的開發,因此首款商用DDR5產品采用了16nm制程技術。
此外,長鑫存儲原計劃發展15nm制程技術,但受美國加強先進半導體制造設備出口限制影響,無法引進EUV先進制造設備,導致計劃暫時放緩。
不過隨著技術開發的成熟,預計長鑫存儲利用現有設備也足以開發和量產下一代制程,畢竟美光的13nm DRAM制程技術也沒有采用使用EUV。
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