快科技2月5日消息,3D NAND閃存的設(shè)計和制造非常依賴存儲單元堆疊,由此可以大幅增加存儲密度與容量,降低成本。
近,來自Lam Research、科羅拉多大學(xué)博爾德分校、美國能源部普林斯頓等離子體物理實驗室(PPPL)的眾多科學(xué)家聯(lián)合設(shè)計了一種新的蝕刻工藝。
該方法使用氟化氫等離子體,將硅材料垂直通道的蝕刻效率提高了一倍,只需1分鐘即可蝕刻640納米。
其中的關(guān)鍵是在氧化硅和氮化硅交替層上刻孔,并將分層材料暴露在等離子體形式的化學(xué)物質(zhì)中,讓等離子體中的原子與分層材料中的原子相互作用,從而蝕刻出孔洞通道。
研究還發(fā)現(xiàn),結(jié)合三氟化磷等特定化學(xué)材料,可以進一步改進蝕刻工藝。
另外,一些副產(chǎn)品會影響蝕刻效率,但是只需加入水,就能解決這一問題,比如水能讓鹽在低溫下分解,從而加速蝕刻。
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