Redmi Buds 4開箱簡評：才199還有降噪 可以無腦入
在上個月舉辦的Redmi Note11T Pro系列新機發布會上，除了兩款手機新品之外，Redmi還帶來了兩款TWS真無線藍牙耳機產品，Redmi Buds 4和Redmi Buds 4 Pro，此前我們在Redmi Note11T
10 月 17 日消息，據韓媒 ZDNET Korea 當地時間 15 日報道，三星電子 HBM3E 產品遲遲未能完整通過最大需方英偉達認證并開始供貨是因為受到該內存的基礎 14nm 級 DRAM 的拖累。
報道提到三星電子的 36GB 容量 HBM3E 12H 內存可能直到 2025 年第 2~3 季度才能啟動供應。
三星電子的 HBM3E 產品完全依賴于其 14nm 級（注：即 1a nm）DRAM，而另外兩家主要 HBM 內存企業 SK 海力士與美光的產品則基于 1b DRAM，三星天然存在相對工藝劣勢。
此外三星電子在其 12nm 級（1b nm）DRAM 的最初設計中并未考慮到 HBM 領域的用途，因此三星無法立即調整 HBM3E 內存的 DRAM Die 選用。
不僅如此，三星電子的 1a DRAM 本身也存在工藝和設計兩方面的問題：
三星電子在內存領域導入 EUV 技術上采取較激進策略，以期提升競爭力的同時降低制造成本，其 1a DRAM 擁有 5 個 EUV 層，多于 SK 海力士同期產品。但由于 EUV 工藝復雜，穩定性欠佳，三星 1a DRAM 產品未能如預期降低成本。
此外三星的 1aDRAM 設計本身也存在不足，導致對應 DDR5 服務器內存條獲得英特爾產品認證時機晚于競爭對手 SK 海力士。
消息人士透露，三星電子內部目前正在討論是否其 1a DRAM 的部分電路進行重新設計，但并未就這一存在各種風險的選擇進行最終決定：因為至少需要 6 個月才能完成新的設計，要到明年第二季度才能進行批量生產，難以向下游廠商及時交付。
本文鏈接：http://www.tebozhan.com/showinfo-24-126558-0.html消息稱三星 14nm 級 DRAM 拖累 HBM3E 內存認證進度，內部正考慮調整設計
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