8月9日消息,分析師郭明錤透露,高通驍龍8 Gen4會采用3nm工藝。由于臺積電3nm成本高昂,智能手機需求在持續下滑,因此高通考慮臺積電、三星雙代工模式。
此前在2015年,蘋果A9芯片就采用了臺積電、三星雙代工模式,當時A9芯片臺積電版本是16nm工藝,三星版本是14nm工藝。
現在高通驍龍8 Gen4有可能會效仿蘋果,據爆料,臺積電版本的驍龍8 Gen4采用N3E工藝,三星版本的驍龍8 Gen4則是采用3nm GAA制程工藝。
據悉,三星是全球第一個成功將GAA技術應用到量產的3nm芯片當中的晶圓代工廠商,雖然臺積電也已量產3nm工藝,但是其依然是基于FinFET晶體管架構,臺積電會在2nm制程工藝上才會采用GAA技術。
根據官方披露的信息,GAA FET架構的晶體管提供了比FinFET更好的靜電特性,可滿足某些柵極寬度的需求。這意味著在同等尺寸結構下,GAA的溝道控制能力比FinFET更強,尺寸可以進一步微縮。
基于此,業界認為倘若高通驍龍8 Gen4部分訂單交由三星代工,那么基于三星3nm GAA技術的驍龍8 Gen4表現將會優于臺積電版本。