近日,有傳聞稱高通可能因臺(tái)積電2nm制程價(jià)格過高而將其未來的2nm芯片轉(zhuǎn)交由三星電子代工。然而,半導(dǎo)體研究機(jī)構(gòu)SemiAnalysis的首席分析師Dylan Patel認(rèn)為,這些傳言并不可信,因?yàn)楦咄坝ミ_(dá)對三星的尖端制程缺乏信心。
Dylan Patel指出,臺(tái)積電的2nm制程(N2)并未延遲,仍將按計(jì)劃于2025年下半年大規(guī)模量產(chǎn)。臺(tái)積電自2021年起已將重大制程的推出時(shí)間間距改為2年以上。N2晶圓的制造過程復(fù)雜,需經(jīng)過上千個(gè)步驟,耗時(shí)接近14周,封裝還需數(shù)月。因此,內(nèi)置N2芯片的產(chǎn)品最快將在2026年第二季度問世。
蘋果已計(jì)劃讓其代號為“Theras”、“Tilos”、“Hidra”、“Sotra”、“Baltra”和“Isonoe”的芯片采用臺(tái)積電的N3P制程,并將于2026年發(fā)布第一批采用N2制程的產(chǎn)品。
Dylan Patel還強(qiáng)調(diào),英偉達(dá)和高通對三星的尖端制程性能、功耗及面積(PPA)持保留態(tài)度。目前,三星的尖端制程在PPA方面落后臺(tái)積電近3年,甚至落后英特爾近1年。盡管英偉達(dá)和高通會(huì)測試三星和英特爾的新制程,但他們并沒有將主要產(chǎn)品從臺(tái)積電轉(zhuǎn)移的打算。
爆料人士@Jukanlosreve也指出,高通正在測試三星晶圓代工業(yè)務(wù)部門的晶圓,但這并不意味著要放棄臺(tái)積電。高通仍在探索第二個(gè)采購選項(xiàng),但與臺(tái)積電的合作不會(huì)停止。
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