據報道,蘋果計劃在未來iPhone等移動產品中引入VCS技術,以應對智能終端時代的需求。三星電子和SK海力士正積極研發新一代存儲器,將HBM概念應用于移動領域,引起業界關注。
三星半導體專家姜云炳透露,三星將于2024年12月發布首款VCS DRAM樣品,該技術通過銅線將LPDDR垂直堆疊并封裝于手機應用處理器上,旨在縮短數據傳輸距離,提升AI功能執行速度。SK海力士也在研發類似技術VFO,預計兩家公司將于2026年量產。
姜云炳指出,VCS DRAM是應蘋果等手機業者要求而開發的技術,旨在提升智能終端的數據處理能力。與HBM不同,VCS和VFO在結構上有所差異,且LPDDR DRAM的堆疊難度可能更高。
業界分析認為,隨著智能終端市場的快速發展,移動DRAM有望成為新的增長動力,并可能逐步向訂單型產品轉變,從而改變存儲器市場的供需格局。蘋果此舉旨在逆轉AI競爭中的落后局面,并重新構想AP設計以適應新技術。
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