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三星 1b nm 移動內存良率欠佳,Galaxy S25系列手機恐受影響

來源: 責編: 時間:2024-09-06 11:35:03 77觀看
導讀 class="art_content" ictimes消息,根據韓媒 ZDNET Korea 報導,三星電子近期在內存生產方面遭遇重大挑戰。特別是針對即將推出的 Galaxy S25 系列,三星電子的 1b nm(即 12nm 級)LPDDR 內存樣品供應出現了嚴重延誤。這一問
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ictimes消息,根據韓媒 ZDNET Korea 報導,三星電子近期在內存生產方面遭遇重大挑戰。特別是針對即將推出的 Galaxy S25 系列,三星電子的 1b nm(即 12nm 級)LPDDR 內存樣品供應出現了嚴重延誤。這一問題主要源于三星在該技術領域的良率未達預期,導致樣品供應無法如計劃進行。
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三星電子自2023年5月起便啟動了1b nm工藝的16Gb DDR5內存生產,并在9月推出了32Gb DDR5產品。盡管公司一直在積極推進1b nm LPDDR移動內存的開發,但最新消息顯示,今年6月三星的1b nm DRAM內存產品良率不足50%。這種狀況不僅影響了產品的質量,還導致了供貨時間表的混亂。HcV28資訊網——每日最新資訊28at.com


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據悉,三星DS部門原計劃在8月前向MX部門提供12Gb和16Gb容量的1b nm LPDDR內存樣品,以支持Galaxy S25系列的開發。然而,由于良率問題,供應的樣品數量遠低于需求。MX部門已經對此提出抗議,并正在重新評估手機的DRAM供應計劃。HcV28資訊網——每日最新資訊28at.com


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在DRAM行業中,實現穩定且經濟的大規模生產,內存良率通常需要達到80%以上。顯然,三星當前的良率遠未達到這一標準。這一挑戰不僅考驗了三星的生產能力,也可能對Galaxy S25系列的發布進度產生影響。HcV28資訊網——每日最新資訊28at.com


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盡管面臨這些挑戰,三星電子在技術上的不斷探索和創新仍然值得肯定。公司在突破性的內存技術開發上付出了巨大的努力,未來一旦解決生產問題,三星有望在市場上繼續保持競爭優勢。HcV28資訊網——每日最新資訊28at.com


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