據外媒報道,納微半導體正計劃在歐洲和美國擴大其氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)功率器件的生產能力,以減少對臺廠的依賴。
據悉,納微目前的SiC及GaN分別由X-Fab和臺積電代工,其中,SiC器件在X-Fab的美國德州(Lubbock, Texas)工廠生產,GaN在臺積電的臺北新竹二廠生產,采用的是500nm工藝設備。
外媒稱,在上周發布GaNSafe?技術之后,納微透露了計劃擴產這個消息。具體而言,納微正在尋找新的晶圓代工合作伙伴來生產SiC/GaN芯片。
納微副總裁Stephen Oliver 透露,公司不希望增加固定成本,所以最有可能是與現有晶圓代工廠合作,但其也提到需要真正前沿的人才。
納微保證,未來GaN產能將是2022年其在臺積電產能的3倍,SiC產能將是2022年在X-Fab產能的5倍。
除此之外,納微也在尋求與模塊廠就GaNSafe?技術達成合作,根據Oliver透露,納微后續將開始向模塊廠銷售芯片。
據了解,納微于9月6日正式發布GaNSafe?功率平臺,借此正式吹響GaN進軍數據中心、太陽能/儲能和電動汽車市場等要求苛刻的高功率應用場景的號角。(文:化合物半導體市場Jenny編譯)
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