6月安卓手機(jī)好評(píng)榜：魅族20 Pro蟬聯(lián)冠軍
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9月6日消息，據(jù)路透社報(bào)導(dǎo)，全球光刻機(jī)大廠ASML CEO Peter Wennink表示，盡管有些供應(yīng)商遇到了一些阻礙，但今年年底將照計(jì)劃推出下一代的High NA（高數(shù)值孔徑）EUV產(chǎn)品線的首款產(chǎn)品。
△ASML首個(gè)High-NA EUV光刻系統(tǒng)
由于EUV光刻系統(tǒng)中使用的極紫外光波長(zhǎng)（13.5nm）相比DUV 浸入式光刻系統(tǒng)（193 nm）有著顯著降低，多圖案 DUV 步驟可以用單次曝光 EUV 步驟代替。可以幫助芯片制造商繼續(xù)向7nm及以下更先進(jìn)制程工藝推進(jìn)的同時(shí)，進(jìn)一步提升效率和降低曝光成本。
目前，EUV光刻機(jī)可以支持芯片制造商將芯片制程推進(jìn)到3nm制程左右，但是如果要繼續(xù)推進(jìn)到2nm制程甚至更小的尺寸，就需要更高數(shù)值孔徑（NA）的High-NA光刻機(jī)。
相比目前的0.33數(shù)值孔徑的EUV光刻機(jī)，High-NA EUV光刻機(jī)將數(shù)值孔徑提升到0.55，可以進(jìn)一步提升分辨率（根據(jù)瑞利公式，NA越大，分辨率越高），從0.33 NA EUV的13nm分辨率提升到0.55 NA EUV的低至8nm分辨率（通過(guò)多重曝光可支持2nm及以下制程工藝芯片的制造）。
目前，臺(tái)積電、三星、英特爾等頭部的晶圓制造廠商也正在大力投資更先進(jìn)的3nm、2nm技術(shù)，以滿足高性能計(jì)算等先進(jìn)芯片需求。而ASML新一代的高數(shù)值孔徑 High-NA EUV光刻機(jī)也就成為了爭(zhēng)奪的關(guān)鍵。
英特爾此前曾對(duì)外表示，其將率先獲得業(yè)界第一臺(tái)High-NA EUV光刻機(jī)。根據(jù)英特爾的規(guī)劃，其將在2024年率先量產(chǎn)Intel 20A和Intel 18A工藝，屆時(shí)或?qū)⒂胁糠掷肏igh-NA EUV光刻機(jī)。
2022年9月，臺(tái)積電研究發(fā)展資深副總經(jīng)理米玉杰也對(duì)外表示，臺(tái)積電將在2024年取得ASML新一代High-NA EUV光刻機(jī)，為客戶發(fā)展相關(guān)的基礎(chǔ)設(shè)施與架構(gòu)解決方案。臺(tái)積電業(yè)務(wù)開(kāi)發(fā)資深副總經(jīng)理張曉強(qiáng)則表示，2024年取得設(shè)備后，初期主要用于與合作伙伴共同研究，尚不會(huì)量產(chǎn)。具體的量產(chǎn)將會(huì)是在2025年。
2022年4月，ASML曾披露，其位于 Veldhoven 的新潔凈室中已經(jīng)開(kāi)始集成第一個(gè)High-NA EUV光刻系統(tǒng)（EXE:5000）。2022年第一季度收到了多個(gè)EXE:5200系統(tǒng)（量產(chǎn)版High-NA EUV光刻系統(tǒng)）的訂單，2022年4月還收到了額外的EXE:5200 訂單。ASML當(dāng)時(shí)確認(rèn)，已收到了來(lái)自三個(gè)邏輯廠商和兩個(gè)存儲(chǔ)廠商的 High-NA EUV訂單。顯然，這里提到的三個(gè)邏輯晶圓廠應(yīng)該是英特爾、臺(tái)積電和三星，兩個(gè)存儲(chǔ)晶圓廠可能是三星和SK海力士。
對(duì)于High-NA EUV光刻系統(tǒng)的商用，Peter Wennink此前也表示，2024年，ASML的High-NA EUV光刻系統(tǒng)將首次應(yīng)用于晶圓廠，計(jì)劃在2026年至2027年之間的某個(gè)時(shí)間點(diǎn)批量生產(chǎn)該設(shè)備，并將盡可能擴(kuò)大其生產(chǎn)能力，預(yù)計(jì)到2027-2028年，High-NA EUV光刻系統(tǒng)的年產(chǎn)能將達(dá)到20個(gè)。
價(jià)格方面，ASML每臺(tái)設(shè)備的價(jià)格將在3億至3.5億歐元之間。顯然這個(gè)價(jià)格非常的高昂，達(dá)到了目前在售的EUV光刻機(jī)的2倍。但是對(duì)于正在先進(jìn)制程領(lǐng)域激烈競(jìng)爭(zhēng)的頭部晶圓廠來(lái)說(shuō)，他們將別無(wú)選擇。
編輯：芯智訊-浪客劍
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