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替代部分美系設備成功！長江存儲成功用國產(chǎn)設備制造3D NAND芯片

來源：責編：時間：2024-09-20 16:08:07 130觀看

導讀快科技9月20日消息，據(jù)媒體報道，長江存儲在面臨美國出口限制和被列入實體清單的雙重壓力下，已成功采用國產(chǎn)半導體設備替代部分美系設備。長江存儲自研Xtacking架構(gòu)可讓3D NAND的層數(shù)堆疊到232層，即使與美光、三

快科技9月20日消息，據(jù)媒體報道，長江存儲在面臨美國出口限制和被列入實體清單的雙重壓力下，已成功采用國產(chǎn)半導體設備替代部分美系設備。

長江存儲自研Xtacking架構(gòu)可讓3D NAND的層數(shù)堆疊到232層，即使與美光、三星和SK海力士等知名制造商相比，也具有極強的競爭優(yōu)勢。

據(jù)悉，長江存儲已經(jīng)使用中微半導體設備公司的蝕刻設備、北方華創(chuàng)的沉積與蝕刻設備，以及拓荊科技的沉積設備，成功制造出3D NAND閃存芯片。

TechInsights稱，雖然長江存儲仍繼續(xù)依賴ASML和泛林集團等外國供應商提供關(guān)鍵工具，但中國國產(chǎn)半導體設備供應商越來越多地承擔了生產(chǎn)流程的大部分。

不過長江存儲使用國產(chǎn)設備生產(chǎn)的新NAND芯片在堆疊層數(shù)上做了相應的妥協(xié)，比早期產(chǎn)品少了約70層，且產(chǎn)量較低。

對此長江存儲在回應中表示，公司正在不斷優(yōu)化產(chǎn)品性能，層數(shù)變化與設備產(chǎn)量無關(guān)，隨著制造工藝、流程及經(jīng)驗的不斷成熟，會不斷增加堆疊層數(shù)。

替代部分美系設備成功！長江存儲成功用國產(chǎn)設備制造3D NAND芯片

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