快科技8月6日消息,在近日的財報電話會議上,Intel CEO宣布已成功接收全球第二臺價值3.83億美元的High NA EUV(極紫外光刻機)。
High NA EUV光刻機是目前世界上先進的芯片制造設備之一,其分辨率達到8納米,能夠顯著提升芯片的晶體管密度和性能,是實現(xiàn)2nm以下先進制程大規(guī)模量產(chǎn)的必備武器。
帕特·基辛格表示,第二臺High NA設備即將進入Intel位于美國俄勒岡州的晶圓廠,預計將支持公司新一代更強大的計算機芯片的生產(chǎn)。
此前,Intel已于去年12月接收了全球首臺High NA EUV光刻機,并在俄勒岡州晶圓廠完成了組裝。
此次第二臺設備的引入,將進一步提升Intel在高端芯片制造領(lǐng)域的競爭力,有望幫助公司在2025年實現(xiàn)對臺積電等競爭對手的超越。
High NA EUV光刻機的引入,是Intel"IDM 2.0"戰(zhàn)略的一部分,該戰(zhàn)略旨在通過技術(shù)創(chuàng)新和工藝提升,重塑Intel在全球半導體產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)導地位。
Intel計劃在2027年前將High NA EUV技術(shù)用于商業(yè)生產(chǎn),并在2030年前實現(xiàn)代工業(yè)務的收支平衡。
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