5月27日消息,近日有傳聞稱三星電子最新研發的高帶寬內存(HBM)芯片在英偉達的測試中未能通過,原因是存在發熱和功耗問題。然而,三星電子迅速回應并辟謠了這些傳聞。
據韓媒BusinessKorea援引三星電子的官方聲明,該公司明確表示,他們正在與全球多家合作伙伴順利進行HBM芯片的測試。三星電子強調,他們一直與其他商業伙伴保持緊密合作,以確保其產品的質量和可靠性。這一聲明似乎是對此前負面傳聞的有力回應。
據ITBEAR科技資訊了解,三星最近已開始批量生產第五代HBM芯片——24GB(8-Hi)/36GB(12-Hi)的HBM3E產品。與競爭對手SK海力士和美光不同,三星在目前已量產的HBM3E上并未采用1bnm制程DRAM裸片,而是繼續使用1anm顆粒。這一選擇在能耗方面相較于競爭對手可能存在一定的劣勢。因此,結合近期的負面輿論,一些市場分析師對三星是否有能力迅速從SK海力士等競爭對手手中奪回市場份額表示懷疑。
盡管面臨質疑,但三星電子依然堅持其產品質量和可靠性,并積極與全球合作伙伴進行測試和驗證。未來,三星將如何調整其HBM芯片的生產策略,以及如何在市場競爭中保持領先地位,仍有待觀察。
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