在半導體領(lǐng)域的合作浪潮中,三星電子與ASML宣布達成一項重要備忘錄,將聯(lián)手投資1兆韓元,在韓國設立先進半導體制程技術(shù)研究中心。此次合作還將利用下一代極紫外(EUV)曝光機進行深入研究。
與此同時,ASML還與SK海力士簽署了環(huán)境、社會和公司治理(ESG)備忘錄,雙方將在多個領(lǐng)域展開合作。這一消息表明了半導體行業(yè)內(nèi)強大的跨界合作趨勢。
上個月初的消息曝光,揭示了三星電子計劃在未來五年內(nèi)從ASML采購50套設備,每套設備約價2,000億韓圜,總價值可達10兆韓元。這顯示了三星電子對于EUV曝光機的強烈需求,以應對其全球首個采用全柵極(GAA)技術(shù)的3奈米半導體晶片制程技術(shù)。
三星電子的戰(zhàn)略目標是在2024年上半年實現(xiàn)第二代3奈米制程技術(shù),并在2025年進入2奈米制程技術(shù),最終在2027年達到1.4奈米半導體制程技術(shù)領(lǐng)域。為了實現(xiàn)這一目標,三星電子與ASML的合作成為關(guān)鍵一環(huán)。
值得關(guān)注的是,ASML計劃在2023年底前發(fā)布首臺商用High-NA(NA=0.55)EUV曝光機,預計2025年開始量產(chǎn)。這將使客戶能夠從傳統(tǒng)EUV多重圖案化轉(zhuǎn)向High-NA EUV單一圖案化,降低制程成本,提高產(chǎn)量。目前,ASML已鎖定包括英特爾、臺積電、SK海力士、美光等在內(nèi)的五大客戶。
三星電子與ASML的合作不僅在技術(shù)領(lǐng)域展現(xiàn)出強大合作潛力,同時也為半導體行業(yè)的未來發(fā)展注入了新的動力。
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