隨著全球存儲器市場的復蘇,三星電子、SK海力士和美光這三大存儲器巨頭預計在2024年展開新一輪的競爭。特別是在高端DRAM市場,新一代高帶寬存儲器(HBM)HBM3e的推出,可能會引發市場格局的重大變革。
據首爾經濟、New Daily等韓媒報道,由于全球DRAM市場的庫存下降、需求擴大以及存儲器廠商上調價格,該市場有望在2024年實現大幅增長。具體而言,Eugene投資證券預測,2024年DRAM市場規模將達到812億美元,較2023年的511億美元增長58.9%;而NAND Flash市場也將以32.9%的年增長率達到460億美元。
在2024年的存儲器市場中,HBM技術仍將是競爭的核心。目前,SK海力士在HBM市場中占據領先地位,并通過擴大HBM銷售,將其全球DRAM市場份額從2023年第1季的24.7%提升至第3季的35%,創下了歷史新高。然而,三星電子的市場份額則從42.8%下滑至39.4%。
然而,自2024年起,三星電子和美光將正式加入HBM市場的競爭。據悉,SK海力士和美光計劃在2024年第2季度開始量產HBM3e,而三星電子則預計在第3季度開始量產。這三家公司都已經向NVIDIA提交了樣品,并有望在今年內完成性能驗證。
業界對于三星和SK海力士的HBM需求非常高,這兩家公司都表示他們2024年預計生產的產品已經全部售罄。預計HBM市場將保持高速增長,未來5年的復合年增長率(CAGR)有望達到60%~80%。因此,主要廠商投資擴大產能的意愿和效率將成為抓住市場機遇的關鍵。
三星電子將從2023年底開始供應HBM3,并計劃到2024年將其HBM產能提升至2023年的2.5倍。在積極的擴產計劃下,有預測認為到2024年下半年,三星電子的HBM產量可能會超過SK海力士。
此外,NVIDIA計劃將其新產品上市周期從原來的兩年縮短為一年,以強化市場主導權并應對高效能GPU的需求。因此,預計在2024年1月確定HBM3e供應商后,NVIDIA將在第2季度推出新產品B100,而HBM4的供應商也將在2025年第1季度選定。
從整個存儲器市場的情況來看,DRAM和NAND Flash的價格正式反彈的時期預計將在2024年下半年到來。由于DRAM在2023年的減產效果,預計到2024年上半年庫存將恢復正常水平;而NAND Flash市場雖然有望在2024年得到改善,但預計還需要一段時間才能完全恢復。因此,主要存儲器廠商在2024年的戰略重點是減少NAND Flash的虧損并提高高附加值DRAM的收益性。
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