AVt天堂网 手机版,亚洲va久久久噜噜噜久久4399,天天综合亚洲色在线精品,亚洲一级Av无码毛片久久精品

當前位置:首頁 > 科技  > 芯片

寬禁帶半導體材料的顛覆性創新

來源: 責編: 時間:2023-12-11 09:26:02 276觀看
導讀寬禁帶半導體材料具有先天性能優勢,具有更寬更高的禁帶寬度、電場強度和更高的擊穿電壓。與傳統的硅基半導體材料相比,寬禁帶半導體材料具有更高的電子飽和遷移速率,開關頻率更高,熱傳導性更好,可以降低系統對散熱設備的要

寬禁帶半導體材料具有先天性能優勢,具有更寬更高的禁帶寬度、電場強度和更高的擊穿電壓。與傳統的硅基半導體材料相比,寬禁帶半導體材料具有更高的電子飽和遷移速率,開關頻率更高,熱傳導性更好,可以降低系統對散熱設備的要求,提高系統的能效和可靠性。qbM28資訊網——每日最新資訊28at.com


qbM28資訊網——每日最新資訊28at.com

意法半導體在碳化硅和氮化鎵等寬禁帶半導體領域持續技術創新,為工業設備提供更長的使用壽命、更高的運行效率和更低的能耗,推動工業自動化向更綠色、更智能的方向發展。qbM28資訊網——每日最新資訊28at.com


qbM28資訊網——每日最新資訊28at.com

ST第三代SiC MOSFET提供多種封裝可選,為設計者提供創新功能。相比傳統IGBT模塊,碳化硅模塊成本雖高,但隨著市場玩家增多,產能逐漸擴大,價格將會明顯下降,優勢更加明顯。ST也布局功率轉換GaN和射頻功率GaN技術,能與SiC技術互補,滿足客戶對功率器件的需求。qbM28資訊網——每日最新資訊28at.com


qbM28資訊網——每日最新資訊28at.com

ST的GaN產品主要應用在高效、高功率密度開關電源上,細分市場包括服務器和通信電源、OBC和機電一體化平臺,以及能源生成、充電站和電力轉換。近期ST發布了PowerFLAT5×6封裝形式的產品,后續還將推出其他封裝形式,以及DirectGAN DSC。意法半導體的GaN器件將加速功率轉換系統向GaN寬帶隙技術過渡。qbM28資訊網——每日最新資訊28at.com


qbM28資訊網——每日最新資訊28at.com

本文鏈接:http://www.tebozhan.com/showinfo-27-41598-0.html寬禁帶半導體材料的顛覆性創新

聲明:本網頁內容旨在傳播知識,若有侵權等問題請及時與本網聯系,我們將在第一時間刪除處理。郵件:2376512515@qq.com

上一篇: vivo公開一項名為“耳機和耳機套件”的專利

下一篇: 美光正在推動內存和存儲技術發展

標簽:
  • 熱門焦點
Top