韓國電子巨頭三星電子宣布打破長期以來由sk海力士壟斷向英偉達供應HBM3的格局,計劃從明年1月開始為英偉達提供HBM3。
分析預測,今年以來表現不佳的三星電子半導體業績將在明年迎來迅速的復蘇,部分人認為,三星電子明年下半年在HBM市場的份額將超過sk海力士。
據了解,三星電子已經成功向美國AMD提供了HBM3存儲器,但由于AMD在市場上的份額相對有限,供應也相應受到限制。
隨著三星電子計劃從明年初開始擴大對HBM的供應,業內普遍預期三星半導體業績將迎來急劇上升。
美林證券研究員Kim Seon-woo表示,三星電子第二季度DRAM銷售額有望超過10萬億韓元。而當前第三季度約為554億元人民幣的銷售額有望超過13萬億元人民幣,年度DRAM銷售額預計將超過2021年的水平。
三星電子在HBM3市場的擴大供應將為其半導體業務帶來巨大的商機。隨著對DRAM需求的增長,三星電子有望在HBM市場上贏得更大份額,這對其未來業績的提升具有積極的影響。
本文鏈接:http://www.tebozhan.com/showinfo-27-26517-0.html三星電子明年起將為英偉達提供HBM3內存
聲明:本網頁內容旨在傳播知識,若有侵權等問題請及時與本網聯系,我們將在第一時間刪除處理。郵件:2376512515@qq.com
上一篇: NAND持續漲價,存儲現貨市場呈分化態勢