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長江存儲控告美光侵權(quán)

來源: 責(zé)編: 時(shí)間:2023-11-15 17:17:04 281觀看
導(dǎo)讀ictimes消息,根據(jù)《第一財(cái)經(jīng)》從美國加利福尼亞北區(qū)法院公開信息中獲悉,長江存儲已于11月9日正式起訴美光科技(Micron)(MU.US)及其全資子公司美光消費(fèi)產(chǎn)品集團(tuán)有限責(zé)任公司,指控其侵犯了長江存儲的八項(xiàng)美國專利。此次訴

ictimes消息,根據(jù)《第一財(cái)經(jīng)》從美國加利福尼亞北區(qū)法院公開信息中獲悉,長江存儲已于11月9日正式起訴美光科技(Micron)(MU.US)及其全資子公司美光消費(fèi)產(chǎn)品集團(tuán)有限責(zé)任公司,指控其侵犯了長江存儲的八項(xiàng)美國專利。此次訴訟旨在維護(hù)長江存儲的合法權(quán)益,并終止美光科技廣泛且未經(jīng)授權(quán)使用長江存儲的專利創(chuàng)新。4tO28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com


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據(jù)起訴書所述,長江存儲已成為全球3D NAND市場的重要參與者,并在快閃記憶體領(lǐng)域取得了領(lǐng)先地位,甚至已經(jīng)超過了美光科技。然而,美光科技卻在未經(jīng)授權(quán)的情況下使用長江存儲的專利技術(shù),以抵御來自長江存儲的競爭,并獲得和保護(hù)市場份額。4tO28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com


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此次訴訟旨在解決美光科技試圖通過迫使長江存儲退出3D NAND Flash(閃存)市場來阻止競爭和創(chuàng)新的行為。根據(jù)TechInsights于去年11月資料顯示,長江存儲在快閃記憶體領(lǐng)域已經(jīng)超過了美光科技,成為了市場的領(lǐng)導(dǎo)者。4tO28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com


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長江存儲指控美光侵犯了美國專利號為“10,950,623”,“11,501,822”,“10,658,378”“10,937,806”,“10,861,872”,“11,468,957”“11,600,342”及“10,868,031”。美光被指控侵權(quán)的產(chǎn)品包括96層,128層,176層和232層的3D NAND產(chǎn)品。4tO28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com


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目前,NAND Flash和DRAM是最主要的兩種存儲介質(zhì)。NAND Flash可用于制造SSD等存儲設(shè)備,廣泛應(yīng)用于手機(jī)、服務(wù)器、個人電腦等產(chǎn)品。長江存儲在2020年研發(fā)了兩款128層的快閃記憶體產(chǎn)品,并計(jì)劃進(jìn)一步擴(kuò)大產(chǎn)能。去年第三季度,由于長江存儲擴(kuò)大了筆記本電腦客戶端SSD的出貨量等因素的影響,價(jià)格戰(zhàn)變得日益激烈,原廠商不得不提高議價(jià)空間,吸引客戶增加訂單數(shù)量。4tO28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com


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