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化合物半導體市場將達3470億美元,GaN技術成5G關鍵推動力

來源:icspec 責編: 時間:2025-05-03 07:34:21 61觀看
導讀據Allied Market Research發布的報告《化合物半導體市場:全球機遇分析和行業預測》顯示,2019年全球化合物半導體市場規模為907億美元,預計到2031年將增長至3470億美元,2022年至2031年的復合年增長率達11.6%。化合物半導體
據Allied Market Research發布的報告《化合物半導體市場:全球機遇分析和行業預測》顯示,2019年全球化合物半導體市場規模為907億美元,預計到2031年將增長至3470億美元,2022年至2031年的復合年增長率達11.6%。
化合物半導體是由兩種或多種元素組成的單晶半導體材料。與傳統的硅材料相比,化合物半導體具有更高的熱導率和更強的擊穿電場強度,這些特性使其在高壓應用中表現出色,例如太陽能逆變器、電源和風力渦輪機等場景。
技術優勢驅動市場增長
推動化合物半導體市場增長的主要因素包括LED技術對化合物半導體外延片需求的增加、汽車行業的新興應用以及化合物半導體相較于硅基技術的優勢。化合物半導體器件的熱導率是硅器件的三倍,擊穿電場強度則是硅器件的十倍。這些特性不僅降低了復雜性和成本,還提高了可靠性,使其廣泛應用于電力電子領域,包括飛機、醫療設備和國防系統等。
在5G無線基站領域,氮化鎵(GaN)技術正發揮重要作用。與橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)相比,GaN-on-SiC技術在性能和效率方面表現更優,具備更高的導熱性、可靠性和頻率效率,同時能夠實現更小尺寸的MIMO陣列設計。這一技術有望顯著增強微基站、宏基站以及其他網絡傳輸單元的功率放大器性能,為5G技術的推廣提供重要支持。
市場細分與區域分析
根據報告,化合物半導體市場按類型分為III-V族、II-VI族、藍寶石、IV-IV族化合物半導體等。其中,III-V族化合物半導體包括氮化鎵(GaN)、砷化鎵(GaAs)等,IV-IV族化合物半導體則包括碳化硅(SiC)和硅鍺(SiGe)。按產品劃分,市場涵蓋功率半導體、晶體管、集成電路(IC)、二極管和整流器等。此外,按沉積技術可分為化學氣相沉積(CVD)、分子束外延(MBE)等。
從應用領域來看,化合物半導體廣泛應用于IT和電信、工業、能源與電力、汽車、消費電子和醫療保健等領域。其中,IT和電信領域在2021年貢獻了最大的市場份額,主要用于信號放大器、衛星通信和雷達等場景。
區域方面,亞太地區和北美在2019年占據了約74.2%的市場份額,其中亞太地區占比超過50%。這主要得益于中國、日本和印度等國家在半導體領域的快速發展。
主要廠商競爭格局
市場中的主要參與者包括Cree Inc.、英飛凌科技股份公司、日亞化學株式會社、恩智浦半導體公司、Qorvo、瑞薩電子株式會社、三星電子、意法半導體公司、臺灣積體電路制造股份有限公司和德州儀器公司。這些企業通過產品發布、收購、合作和市場擴張等策略,不斷提升自身在行業中的競爭力。
報告顯示,IV-IV族化合物半導體領域在市場中占據主導地位,預計在未來幾年內仍將保持這一趨勢。功率半導體領域在2021年貢獻了最大收入,并預計將以顯著的復合年增長率持續增長。

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