據(jù)韓媒Theelec援引業(yè)界消息，三星電子計(jì)劃在2025年6月完成對(duì)供應(yīng)給NVIDIA的第五代高帶寬存儲(chǔ)器（HBM3E）的品質(zhì)測(cè)試（Qual test）。這一認(rèn)證過程已歷時(shí)一年多，進(jìn)展緩慢，能否順利完成備受關(guān)注。
三星在2025年3月已通過NVIDIA對(duì)其溫陽園區(qū)的封裝測(cè)試審核（audit），達(dá)到了最低要求。溫陽園區(qū)是三星在韓國(guó)的后段制程專業(yè)基地，負(fù)責(zé)DRAM、NAND Flash及CMOS影像傳感器（CIS）等產(chǎn)品的封裝測(cè)試。封裝測(cè)試審核主要檢查芯片的電氣與物理特性、發(fā)熱與壽命等可靠性，以及異常發(fā)生時(shí)的應(yīng)對(duì)流程。
由于通過了封裝測(cè)試審核，三星內(nèi)部對(duì)通過品質(zhì)測(cè)試抱有較高期待，并全力推動(dòng)相關(guān)工作。目前，NVIDIA的高端人工智能（AI）加速器采用的是12層HBM3E，由SK海力士與美光供應(yīng)，而三星正努力爭(zhēng)取通過NVIDIA的認(rèn)證。
在HBM市場(chǎng)上落后，三星的半導(dǎo)體業(yè)績(jī)也受到影響。數(shù)據(jù)顯示，三星半導(dǎo)體暨裝置解決方案（Device Solutions；DS）部門的營(yíng)業(yè)利潤(rùn)從2024年第二季度的6.5萬億韓元（約45億美元）下降至第三季度的3.9萬億韓元，第四季度進(jìn)一步降至2.9萬億韓元。
市調(diào)機(jī)構(gòu)Counterpoint Research數(shù)據(jù)顯示，2025年第一季度，SK海力士以36%的銷售額占據(jù)全球DRAM市場(chǎng)第一，三星以34%退居第二，這是三星33年來首次失去領(lǐng)先地位。
值得注意的是，三星通過品質(zhì)測(cè)試的目標(biāo)時(shí)間點(diǎn)，與三星副會(huì)長(zhǎng)全永鉉上任滿一年的時(shí)間點(diǎn)相近。自2024年5月上任以來，全永鉉將“重振DRAM業(yè)務(wù)競(jìng)爭(zhēng)力”作為核心目標(biāo)，并兼任存儲(chǔ)器事業(yè)部長(zhǎng)，親自領(lǐng)導(dǎo)HBM新一代產(chǎn)品的開發(fā)。
2025年2月，全永鉉親自攜帶10納米級(jí)第五代（1b）DRAM的改良樣品前往美國(guó)拜訪NVIDIA。對(duì)于第六代產(chǎn)品HBM4，三星決心奪回市場(chǎng)主導(dǎo)權(quán)。全永鉉表示，三星將加快12層HBM3E的市場(chǎng)供應(yīng)速度，并積極回應(yīng)HBM4等新一代產(chǎn)品的客戶需求。
據(jù)三星相關(guān)人士透露，基于10納米級(jí)第六代（1c）DRAM的HBM4正以2025年下半年量產(chǎn)為目標(biāo)進(jìn)行開發(fā)。業(yè)界預(yù)測(cè)，首次采用混合鍵合（Hybrid Bonding）技術(shù)的HBM4，預(yù)計(jì)將在2025年底或2026年初亮相。

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