據(jù)報道，臺積電在2025年北美技術(shù)研討會上宣布，其N2（2nm級）芯片制程技術(shù)預(yù)計在今年下半年進入大規(guī)模量產(chǎn)階段。這是臺積電首次采用環(huán)柵（GAA）納米片晶體管技術(shù)的制程節(jié)點，將顯著提升芯片性能與能效表現(xiàn)。
N2制程技術(shù)將為眾多2025年上市的產(chǎn)品提供支持，包括AMD面向數(shù)據(jù)中心的下一代EPYC“Venice”CPU，以及蘋果用于智能手機、平板電腦和PC的全新SoC。得益于環(huán)繞柵極晶體管（GAAFET）技術(shù)的引入，N2不僅提升了性能和晶體管密度，還實現(xiàn)了顯著的功耗降低。
據(jù)臺積電透露，N2相較于N3E制程實現(xiàn)了“全節(jié)點改進”，性能提升10%至15%，功耗降低25%至30%，晶體管密度增加15%。目前，256Mb SRAM模塊的平均良率已超過90%，表明該制程技術(shù)正逐步邁向成熟。
GAA納米片晶體管通過柵極360度環(huán)繞溝道的設(shè)計，增強了對溝道的靜電控制，從而在縮小晶體管尺寸的同時優(yōu)化性能和功耗。這一技術(shù)優(yōu)勢為未來更高密度、更高效率的芯片設(shè)計奠定了基礎(chǔ)。
此外，臺積電計劃在明年推出N2的后續(xù)工藝技術(shù)A16和N2P，進一步滿足市場對高性能芯片的需求。

本文鏈接：http://www.tebozhan.com/showinfo-27-147516-0.html臺積電2nm制程今年下半年量產(chǎn)，采用GAA技術(shù)

聲明：本網(wǎng)頁內(nèi)容旨在傳播知識，若有侵權(quán)等問題請及時與本網(wǎng)聯(lián)系，我們將在第一時間刪除處理。郵件：2376512515@qq.com

上一篇： Meta旗下Reality Labs部門裁員超百人

下一篇： 中國信科成立集成電路創(chuàng)新研究院