據韓媒Money Today援引業界消息，三星電子在測試高數值孔徑（High NA）極紫外光（EUV）微影設備時，成功將特定制程時間縮短60%。這一成果表明，三星在提升半導體生產效率方面取得重要進展，預計該設備將被廣泛應用于2納米及以下先進制程。
ASML在近期的電話財報會議上罕見直接提及三星、英特爾等客戶名稱，并公布了High NA EUV設備的最新進展。這一舉動被認為是為了消除市場對新設備性能的疑慮。據悉，High NA EUV設備能夠一次性生成超微細電路圖案，晶體管密度提升2.9倍，顯著降低曝光作業的時間與成本。
在先進制程領域，High NA EUV設備被視為關鍵工具。三星計劃在2025年量產2納米制程，并在2027年推出1.4納米制程，而臺積電同樣預計在2027年量產1.4納米制程，屆時兩家公司都將采用該設備。ASML目前僅生產了5臺EXE:5000型號設備，其中一臺據傳已于2025年第一季度交付三星。目前，僅有英特爾、臺積電和三星獲得了這一設備的供應。
ASML計劃停止供應第一代EXE:5000，轉而推出新機型EXE:5200，重點研發新曝光制程。預計從2026年起，新版設備將正式投入量產，三星也有望成為首批獲得EXE:5200供應的企業之一。
由于每臺High NA EUV設備售價高達5000億韓元（約合3.5億美元），且供應數量有限，該設備將主要用于關鍵制程。三星在獲得EXE:5000之前，已提前研究光罩（photomask）和次世代制程技術，具備一定的先發優勢。
業內人士指出，High NA EUV設備通過強光一次性完成多階段繪制作業，不僅能提高生產效率，還能減少制程步驟，從而降低錯誤率，進一步提升良率。

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