據VLSI 2025最新披露的資料顯示，英特爾進一步公開了其Intel 18A制程的詳細信息。這一制程采用了RibbonFET環繞柵極晶體管（GAA）技術，能夠實現對電流的精準控制，同時引入了業界首創的PowerVia背面供電技術。
根據英特爾官網此前的介紹，PowerVia技術可將芯片密度和單元利用率提升5%至10%，并顯著降低電阻供電下降問題，從而使ISO功率性能提升高達4%。與Intel 3工藝節點相比，Intel 18A的每瓦性能提升了15%，芯片密度提高了30%。此外，Intel 18A還提供了高性能（HP）和高密度（HD）庫，具備全面的技術設計功能和優化的設計易用性。
在PPA（性能、功耗、面積）對比中，Intel 18A在標準Arm內核子塊上，于1.1V電壓下實現了25%的速度提升和36%的功耗降低。同時，該工藝在面積利用率上優于Intel 3，表明其在面積效率和更高密度設計方面具有潛力。
資料中還包含一張“電壓下降”圖，展示了Intel 18A在高性能條件下的穩定性。得益于PowerVia技術，該工藝能夠提供更穩定的電力輸送。此外，供電電路庫對比顯示，背面供電技術使英特爾實現了更緊湊的供電電路封裝，從而提高了面積效率。
據KeyBanc Capital Markets分析師John Vinh透露，Intel 18A的關鍵性能指標（包括良率和缺陷密度）正朝著積極方向發展，且處于可接受水平。英特爾工程經理Pankaj Marria今年3月也曾在LinkedIn上發文稱，Intel 18A制程已實現重要里程碑，團隊在亞利桑那州完成了首批生產。
根據計劃，Intel 18A將由英特爾的PC處理器Panther Lake首發搭載，服務器處理器Clearwater Forest也將采用該工藝。預計相關產品將在2025年下半年推出，2026年正式上市。若良率穩定，Intel 18A有望成為臺積電2nm制程的有力競爭者。

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