近期，芯盟科技位于浙江省龍游縣經濟開發區的高等級功率半導體廠房項目順利通過竣工驗收。據微龍游消息，該項目總投資超過5100萬元，建筑面積達25000多平方米，主體建筑包括廠房、綜合樓、門衛、材料庫及室外附屬配套，總計5層。
芯盟科技是全球首家研發出垂直溝道三維存儲器并實現商業化的企業，其3D異構集成HITOC?鍵合技術可實現線寬0.9μm，芯片連接點數超過100萬個，鍵合密度處于全球領先地位。
該項目主要涵蓋IGBT芯片、IGBT大功率模塊和分立器件的生產，同時積極布局碳化硅功率器件領域。預計建成后，年產能可達300萬只高等級功率半導體模塊。
近期，芯盟科技還接連申請了兩項技術專利。3月19日，公司向國家知識產權局提交了一項名為“動態隨機存儲器及其讀操作方法、電子設備”的專利，公開號為CN119626287A。該專利通過優化DRAM設計，顯著提高了存儲器的感應裕度和讀出性能。4月5日，芯盟科技獲得了一項名為“半導體器件及其制造方法”的專利，授權公告號為CN113629011B。該專利涉及創新材料和工藝，有望提升半導體器件的耐用性和能效，廣泛應用于智能設備、通信基礎設施及消費電子等領域。
圖源：微龍游

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