近期，芯盟科技位于浙江省龍游縣經(jīng)濟(jì)開(kāi)發(fā)區(qū)的高等級(jí)功率半導(dǎo)體廠房項(xiàng)目順利通過(guò)竣工驗(yàn)收。據(jù)微龍游消息，該項(xiàng)目總投資超過(guò)5100萬(wàn)元，建筑面積達(dá)25000多平方米，主體建筑包括廠房、綜合樓、門(mén)衛(wèi)、材料庫(kù)及室外附屬配套，總計(jì)5層。
芯盟科技是全球首家研發(fā)出垂直溝道三維存儲(chǔ)器并實(shí)現(xiàn)商業(yè)化的企業(yè)，其3D異構(gòu)集成HITOC?鍵合技術(shù)可實(shí)現(xiàn)線寬0.9μm，芯片連接點(diǎn)數(shù)超過(guò)100萬(wàn)個(gè)，鍵合密度處于全球領(lǐng)先地位。
該項(xiàng)目主要涵蓋IGBT芯片、IGBT大功率模塊和分立器件的生產(chǎn)，同時(shí)積極布局碳化硅功率器件領(lǐng)域。預(yù)計(jì)建成后，年產(chǎn)能可達(dá)300萬(wàn)只高等級(jí)功率半導(dǎo)體模塊。
近期，芯盟科技還接連申請(qǐng)了兩項(xiàng)技術(shù)專利。3月19日，公司向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交了一項(xiàng)名為“動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器及其讀操作方法、電子設(shè)備”的專利，公開(kāi)號(hào)為CN119626287A。該專利通過(guò)優(yōu)化DRAM設(shè)計(jì)，顯著提高了存儲(chǔ)器的感應(yīng)裕度和讀出性能。4月5日，芯盟科技獲得了一項(xiàng)名為“半導(dǎo)體器件及其制造方法”的專利，授權(quán)公告號(hào)為CN113629011B。該專利涉及創(chuàng)新材料和工藝，有望提升半導(dǎo)體器件的耐用性和能效，廣泛應(yīng)用于智能設(shè)備、通信基礎(chǔ)設(shè)施及消費(fèi)電子等領(lǐng)域。
圖源：微龍游

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