近日，德國(guó)半導(dǎo)體企業(yè)Neumonda與鐵電存儲(chǔ)器公司（FMC）宣布達(dá)成戰(zhàn)略合作，計(jì)劃在德國(guó)德累斯頓建設(shè)一條新型非易失性存儲(chǔ)芯片（FeRAM）生產(chǎn)線，這標(biāo)志著歐洲在存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域本土化生產(chǎn)的重新布局。
據(jù)媒體報(bào)道，此次合作的核心是FMC研發(fā)的“DRAM+”技術(shù)。該技術(shù)采用10nm以下制程兼容的鉿氧化物（HfO2）作為鐵電層，替代傳統(tǒng)的鋯鈦酸鉛（PZT）材料，成功突破了傳統(tǒng)FeRAM的存儲(chǔ)容量限制。新技術(shù)將存儲(chǔ)容量從過(guò)去的4-8MB大幅提升至Gb-GB級(jí)別，同時(shí)保留了斷電數(shù)據(jù)不丟失的特性，被認(rèn)為在人工智能、醫(yī)療、工業(yè)、汽車(chē)和消費(fèi)電子領(lǐng)域具有廣泛應(yīng)用前景。
根據(jù)雙方協(xié)議，Neumonda將為FMC提供存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)和測(cè)試方面的咨詢服務(wù)，并支持其非易失性DRAM+產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)。Neumonda擁有多項(xiàng)DRAM存儲(chǔ)器相關(guān)專利，其Rhinoe、Octopus和Raptor測(cè)試平臺(tái)將為項(xiàng)目提供技術(shù)支持。
這是自2009年英飛凌與奇夢(mèng)達(dá)的德國(guó)DRAM工廠破產(chǎn)關(guān)停以來(lái)，歐洲首次嘗試重啟存儲(chǔ)芯片的本土化生產(chǎn)。FMC首席執(zhí)行官Thomas Rueckes表示，鉿氧化物的鐵電效應(yīng)能夠?qū)RAM電容轉(zhuǎn)變?yōu)榉且资源鎯?chǔ)單元，在保持高性能的同時(shí)實(shí)現(xiàn)低功耗，非常適合AI運(yùn)算對(duì)持久內(nèi)存的需求。
Neumonda首席執(zhí)行官Peter Poechmueller則強(qiáng)調(diào)，此次合作是重建德國(guó)存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)的重要一步，未來(lái)將推動(dòng)歐洲在高端存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域的自主發(fā)展。

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