據4月11日報道，日本半導體企業(yè)羅姆（ROHM）于當地時間28日宣布，與日本車企馬自達展開合作，共同開發(fā)搭載氮化鎵（GaN）功率半導體的汽車零部件。這一合作旨在通過氮化鎵技術的優(yōu)勢，進一步優(yōu)化整車設計，實現輕量化與更靈活的布局。
氮化鎵功率半導體因其低損耗、高頻驅動以及小型化的特點，被視為下一代汽車電子技術的重要方向。雙方計劃在2027年度實現相關技術的實際應用，為汽車行業(yè)的技術升級提供支持。
值得一提的是，這并非雙方首次合作。此前，羅姆與馬自達已在碳化硅（SiC）功率半導體逆變器領域展開聯合開發(fā)。碳化硅技術已在逆變器領域展現出顯著優(yōu)勢，而此次轉向氮化鎵技術，標志著雙方在汽車電子領域的合作進一步深化。

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