4月2日，魯晶半導(dǎo)體技術(shù)團隊與山東大學(xué)新一代半導(dǎo)體材料研究院達成深化合作協(xié)議，計劃聯(lián)合申報國家級科研項目，共建實驗室，并推動技術(shù)標準制定。雙方將以此次合作為契機，構(gòu)建“基礎(chǔ)研究+技術(shù)攻關(guān)+產(chǎn)業(yè)落地”全鏈條創(chuàng)新體系，助力國產(chǎn)半導(dǎo)體實現(xiàn)自主可控。
當(dāng)天的交流中，雙方聚焦超高壓5000V SiC肖特基二極管及大功率MOSFET器件的技術(shù)進展。魯晶半導(dǎo)體團隊分享了其在器件研發(fā)與制造中的階段性成果，山東大學(xué)專家則從學(xué)術(shù)層面剖析了高頻、高效、高溫性能的優(yōu)化方案。雙方一致認為，SiC功率器件憑借耐高壓、低損耗的特性，將成為未來電力電子領(lǐng)域的核心技術(shù)方向。
此外，魯晶半導(dǎo)體技術(shù)團隊還重點介紹了SiC器件在新能源汽車、光伏儲能、充電樁等場景的應(yīng)用潛力。山東大學(xué)專家針對高功率密度、長壽命等需求提出了優(yōu)化建議。雙方均表示，SiC技術(shù)的規(guī)模化應(yīng)用將顯著提升能源效率，降低碳排放，為實現(xiàn)“雙碳”目標提供重要技術(shù)支撐。
據(jù)魯晶芯城消息，魯晶半導(dǎo)體將依托山東大學(xué)新一代材料研究院的平臺及人才資源，強化技術(shù)研發(fā)能力；山東大學(xué)則借助企業(yè)的產(chǎn)業(yè)資源與市場渠道，加速科研成果的轉(zhuǎn)化。
圖源：魯晶芯城

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