2月下旬,美光科技宣布成為業(yè)內(nèi)率先向合作伙伴提供基于EUV光刻技術(shù)的1γ制程第六代(10nm級(jí))DDR5內(nèi)存樣品的企業(yè)。不過(guò),當(dāng)時(shí)美光并未透露該制程使用EUV光刻的層數(shù)。
據(jù)《朝鮮日?qǐng)?bào)》報(bào)道,美光此次送樣的1γ DDR5內(nèi)存芯片僅采用了一層EUV光刻。美光這樣做的目的是通過(guò)減少EUV的使用,加快先進(jìn)制程DRAM的量產(chǎn)速度,同時(shí)降低生產(chǎn)成本。
美光選擇減少對(duì)EUV的依賴,關(guān)鍵層更多地基于成熟的氬氟浸沒(méi)式光刻(ArFi)制程。雖然ASML的下代深紫外光刻(DUV)系統(tǒng)(193nm波長(zhǎng)氬氟激光)可實(shí)現(xiàn)38nm特征尺寸圖案化,精確度比不上13.5nm波長(zhǎng)的EUV,但勝在成本更低。
美光認(rèn)為,EUV技術(shù)目前還未完全成熟,僅在必要時(shí)使用。從短期看,減少EUV使用能提升生產(chǎn)速度,但從長(zhǎng)期來(lái)看,過(guò)多使用可能會(huì)影響芯片的良率和性能。
與美光不同,韓國(guó)的三星和SK海力士在DRAM生產(chǎn)上更依賴EUV制程。三星自2020年起就用EUV制程生產(chǎn)DRAM,其第六代1C 10nm級(jí)DRAM使用了超過(guò)五個(gè)EUV光刻層;SK海力士在2021年導(dǎo)入EUV制程,下一代1C 10nm級(jí)DRAM也采用類似策略。
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