在2025年閃存市場峰會上，長江存儲首次揭開了其最新的晶棧4.0閃存架構，展現出顯著的技術突破。此架構標志著長江存儲在存儲密度、性能和功耗上的全面提升。
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晶棧4.0不僅將TLC（Triple-Level Cell）閃存的單顆密度提升至同類產品的最高水平，而且其QLC（Quad-Level Cell）產品的單顆容量更是達到了驚人的2TB，這意味著每顆閃存顆粒的存儲能力翻倍。對于大容量存儲需求的市場，晶棧4.0無疑提供了更具競爭力的解決方案。WZ628資訊網——每日最新資訊28at.com

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此代架構繼承并改進了以往的背面源極連接技術，采用混合晶圓鍵合結構和20孔垂直通道設計，生產效率和產量得到了有效提升。相比前代產品，晶棧4.0的TLC閃存密度提升了48%，IO速度也增長了50%，使得數據傳輸更為快速流暢。WZ628資訊網——每日最新資訊28at.com

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此外，晶棧4.0的QLC閃存產品X4-6080，單Die容量達到了2TB，耐久性提高了33%，吞吐量更是增加了147%。這一進步為消費者帶來了更為穩定和高效的存儲體驗。WZ628資訊網——每日最新資訊28at.com

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值得注意的是，長江存儲與多個第三方主控合作，已經在市場上推出兼容性強的解決方案，支持從PCIe 4.0到PCIe 5.0的多種接口。盡管當前堆疊層數尚未透露，但業內已有大廠如三星、SK海力士等在層數上不斷追趕，展現出技術進步的全球趨勢。WZ628資訊網——每日最新資訊28at.com

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