俄羅斯：將審查iPhone等外國公司設備 保數據安全
iPhone和特斯拉都屬于在各自領域領頭羊的品牌，推出的產品也也都是數一數二的，但對于一些國家而言，它們的產品可靠性和安全性還是在限制范圍內。近日，俄羅斯聯邦通信、信息技術
三星宣布基于中國長江存儲的專利技術，推出了全新的第十代V-NAND閃存，堆疊層數超過400層，重回世界領先地位。此次創新標志著三星在存儲技術領域的再次飛躍。
三星此次采用了長江存儲的Xtacking晶棧架構，通過雙晶圓技術將控制電路與存儲陣列分別制造，并通過鍵合技術組合在一起。這一設計不僅降低了生產難度和成本，更為未來技術升級鋪平道路。相比之下，傳統的單晶圓設計在層數和密度急劇增加的過程中面臨著技術瓶頸。
盡管三星的新閃存在存儲密度方面略遜色于其他競爭對手，如鎧俠，但它的最大亮點在于層數。該閃存的堆疊層數已超越了之前創下332層記錄的閃存產品。
此外，第十代V-NAND的接口傳輸速度也令人矚目，達到了5600MT/s（700MB/s），充分支持最新的PCIe 4.0、5.0及6.0接口標準，為高速存儲需求提供強有力支持。
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