得一微電子(YEESTOR)近期推出的AI-MemoryX技術(shù),為AI大模型的微調(diào)訓(xùn)練帶來了革命性的改變。
該技術(shù)通過自研存儲(chǔ)控制芯片與AI存儲(chǔ)系統(tǒng)創(chuàng)新,顯著提升了DeepSeek訓(xùn)推一體機(jī)的顯存容量,使32B、70B、110B乃至671B等大模型都能實(shí)現(xiàn)單機(jī)微調(diào)訓(xùn)練。
AI-MemoryX技術(shù)的核心在于其顯存擴(kuò)展能力,它打破了傳統(tǒng)顯存容量的限制,將顯存容量提升至前所未有的高度。
這一突破意味著,即便是超大規(guī)模的AI模型,也能在單機(jī)環(huán)境下高效地進(jìn)行微調(diào)訓(xùn)練,大大降低了硬件成本和部署復(fù)雜度。
此外,得一微電子還提供了完整的微調(diào)訓(xùn)練機(jī)方案,包括訓(xùn)練框架、軟件棧以及顯存擴(kuò)展卡等,為大模型的微調(diào)訓(xùn)練提供了全方位的技術(shù)支持。這使得各行業(yè)能夠更加便捷地拓展智能應(yīng)用,提升業(yè)務(wù)競爭力。
AI-MemoryX技術(shù)的發(fā)布,不僅展現(xiàn)了得一微電子在存儲(chǔ)控制領(lǐng)域的創(chuàng)新實(shí)力,更為AI大模型的訓(xùn)練和應(yīng)用開辟了全新的道路。
本文鏈接:http://www.tebozhan.com/showinfo-27-134828-0.html得一微發(fā)布AI-MemoryX技術(shù)
聲明:本網(wǎng)頁內(nèi)容旨在傳播知識(shí),若有侵權(quán)等問題請及時(shí)與本網(wǎng)聯(lián)系,我們將在第一時(shí)間刪除處理。郵件:2376512515@qq.com