SK海力士在第六代高帶寬存儲器HBM4的研發(fā)上取得了顯著進展。據業(yè)內消息，SK海力士在HBM4的12層測試中成功將測試良率提升至70%，這一成績標志著HBM4技術正逐步邁向成熟。
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自去年以來，HBM4的測試良率便呈現出穩(wěn)步增長的趨勢。SK海力士對制造工藝設定了高標準，以90%后期的可靠性標準來提升良率。4Fe28資訊網——每日最新資訊28at.com

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同時，該公司還將10nm第五代DRAM“1b”技術應用于HBM4，進一步提升了其性能和穩(wěn)定性。此前，1b技術已成功應用于HBM3E產品中，并取得了優(yōu)異的成果。4Fe28資訊網——每日最新資訊28at.com

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業(yè)界專家指出，測試良率達到70%是一個重要的里程碑，預示著HBM4技術即將進入量產階段。4Fe28資訊網——每日最新資訊28at.com

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一旦完成技術開發(fā)和當前測試的評估，SK海力士將制造并提供樣品，以進行客戶性能評估。若樣品通過評估，HBM4將正式進入大規(guī)模生產。4Fe28資訊網——每日最新資訊28at.com

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此外，有消息稱HBM4 12層技術很可能被應用于英偉達下一代AI加速器“Rubin”系列中。這也進一步凸顯了SK海力士在HBM4技術研發(fā)上的重要性和市場潛力。4Fe28資訊網——每日最新資訊28at.com

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