SK海力士在第六代高帶寬存儲器HBM4的研發上取得了顯著進展。據業內消息,SK海力士在HBM4的12層測試中成功將測試良率提升至70%,這一成績標志著HBM4技術正逐步邁向成熟。
自去年以來,HBM4的測試良率便呈現出穩步增長的趨勢。SK海力士對制造工藝設定了高標準,以90%后期的可靠性標準來提升良率。
同時,該公司還將10nm第五代DRAM“1b”技術應用于HBM4,進一步提升了其性能和穩定性。此前,1b技術已成功應用于HBM3E產品中,并取得了優異的成果。
業界專家指出,測試良率達到70%是一個重要的里程碑,預示著HBM4技術即將進入量產階段。
一旦完成技術開發和當前測試的評估,SK海力士將制造并提供樣品,以進行客戶性能評估。若樣品通過評估,HBM4將正式進入大規模生產。
此外,有消息稱HBM4 12層技術很可能被應用于英偉達下一代AI加速器“Rubin”系列中。這也進一步凸顯了SK海力士在HBM4技術研發上的重要性和市場潛力。
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