小米降噪藍牙耳機Necklace分享：聽一首歌 讀懂一個故事
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近日，旺宏電子與中國臺灣半導體研究中心（TSRI）共同發(fā)布了新型高密度、高帶寬3D DRAM技術。該技術不使用傳統(tǒng)電容，以2顆IGZO晶體管串聯(lián)存儲信號，具有體積小、高帶寬、能耗低、耐用度高等優(yōu)勢。
半導體中心指出，這種無電容設計使存儲器尺寸更小，3D堆疊更緊密，同時消除了電容導致的讀寫速度慢和耗能高的問題。使用寬能隙半導體材料還可延長數據保存時間，未來有望成為新一代HBM。
面對中國大陸DeepSeek的挑戰(zhàn)，半導體中心表示，芯片市場依然真實且前景廣闊。臺積電董事長魏哲家和NVIDIA CEO黃仁勛均對AI芯片市場持樂觀態(tài)度，認為這將推升HBM需求。
旺宏電子資深處長謝光宇表示，該技術是全新結構，未來量產需考慮市場和應用環(huán)境，但在技術上已具備可行性。此次合作標志著旺宏在3D DRAM領域已占據一席之地。
此外，半導體中心還指出，AI芯片需要高速、高密度、低耗能的HBM來滿足大數據運算需求。現(xiàn)有DRAM受封裝技術限制，帶寬受限且耗能高，因此研發(fā)新型HBM具有重要意義。
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