近日，旺宏電子與中國臺灣半導(dǎo)體研究中心（TSRI）共同發(fā)布了新型高密度、高帶寬3D DRAM技術(shù)。該技術(shù)不使用傳統(tǒng)電容，以2顆IGZO晶體管串聯(lián)存儲信號，具有體積小、高帶寬、能耗低、耐用度高等優(yōu)勢。gEW28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

gEW28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

半導(dǎo)體中心指出，這種無電容設(shè)計(jì)使存儲器尺寸更小，3D堆疊更緊密，同時(shí)消除了電容導(dǎo)致的讀寫速度慢和耗能高的問題。使用寬能隙半導(dǎo)體材料還可延長數(shù)據(jù)保存時(shí)間，未來有望成為新一代HBM。gEW28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

gEW28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

面對中國大陸DeepSeek的挑戰(zhàn)，半導(dǎo)體中心表示，芯片市場依然真實(shí)且前景廣闊。臺積電董事長魏哲家和NVIDIA CEO黃仁勛均對AI芯片市場持樂觀態(tài)度，認(rèn)為這將推升HBM需求。gEW28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

gEW28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

旺宏電子資深處長謝光宇表示，該技術(shù)是全新結(jié)構(gòu)，未來量產(chǎn)需考慮市場和應(yīng)用環(huán)境，但在技術(shù)上已具備可行性。此次合作標(biāo)志著旺宏在3D DRAM領(lǐng)域已占據(jù)一席之地。gEW28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

gEW28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

此外，半導(dǎo)體中心還指出，AI芯片需要高速、高密度、低耗能的HBM來滿足大數(shù)據(jù)運(yùn)算需求。現(xiàn)有DRAM受封裝技術(shù)限制，帶寬受限且耗能高，因此研發(fā)新型HBM具有重要意義。gEW28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

本文鏈接：http://www.tebozhan.com/showinfo-27-134202-0.html旺宏與TSRI合作研發(fā)3D DRAM，或成新一代HBM

聲明：本網(wǎng)頁內(nèi)容旨在傳播知識，若有侵權(quán)等問題請及時(shí)與本網(wǎng)聯(lián)系，我們將在第一時(shí)間刪除處理。郵件：2376512515@qq.com

上一篇： 環(huán)球晶2024年獲利下滑，受Siltronic股價(jià)影響

下一篇： 文曄看好2025市場前景，表示市場需求將逐步復(fù)蘇