近日，旺宏電子與中國臺灣半導體研究中心（TSRI）共同發(fā)布了新型高密度、高帶寬3D DRAM技術(shù)。該技術(shù)不使用傳統(tǒng)電容，以2顆IGZO晶體管串聯(lián)存儲信號，具有體積小、高帶寬、能耗低、耐用度高等優(yōu)勢。AiD28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

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半導體中心指出，這種無電容設計使存儲器尺寸更小，3D堆疊更緊密，同時消除了電容導致的讀寫速度慢和耗能高的問題。使用寬能隙半導體材料還可延長數(shù)據(jù)保存時間，未來有望成為新一代HBM。AiD28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

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面對中國大陸DeepSeek的挑戰(zhàn)，半導體中心表示，芯片市場依然真實且前景廣闊。臺積電董事長魏哲家和NVIDIA CEO黃仁勛均對AI芯片市場持樂觀態(tài)度，認為這將推升HBM需求。AiD28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

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旺宏電子資深處長謝光宇表示，該技術(shù)是全新結(jié)構(gòu)，未來量產(chǎn)需考慮市場和應用環(huán)境，但在技術(shù)上已具備可行性。此次合作標志著旺宏在3D DRAM領域已占據(jù)一席之地。AiD28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

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此外，半導體中心還指出，AI芯片需要高速、高密度、低耗能的HBM來滿足大數(shù)據(jù)運算需求。現(xiàn)有DRAM受封裝技術(shù)限制，帶寬受限且耗能高，因此研發(fā)新型HBM具有重要意義。AiD28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

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