據報道,三星電子已與中國NAND Flash制造商長江存儲簽署協議,租借其3D NAND混合鍵合專利。該專利將用于三星的第10代3D NAND(V10)產品,預計2025年下半年量產,堆疊層數或達420~430層。
長江存儲是首家將混合鍵合技術應用于3D NAND的公司,擁有強大的專利組合。三星V10 NAND將引入晶圓對晶圓形式的混合鍵合技術,以提高效能和生產力。
此前,三星主要采用COP制程,但隨著NAND堆疊層數增加,底部外圍電路壓力增大,因此決定引入混合鍵合技術。
此舉被視為三星通過友好協議降低未來風險,同時加快技術開發速度的策略。業界人士指出,三星在新一代NAND開發中不太可能避開長江存儲的專利。
此外,韓媒預期SK海力士也可能會與長江存儲簽署專利協議,以提高400層等級NAND產品的經濟性和量產性。
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