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三星租借長江存儲專利，規(guī)劃用于第10代3D NAND產(chǎn)品

來源： 責編： 時間：2025-02-26 12:33:41 72觀看
導(dǎo)讀據(jù)報道，三星電子已與中國NAND Flash制造商長江存儲簽署協(xié)議，租借其3D NAND混合鍵合專利。該專利將用于三星的第10代3D NAND（V10）產(chǎn)品，預(yù)計2025年下半年量產(chǎn)，堆疊層數(shù)或達420~430層。長江存儲是首家將混合鍵合技術(shù)應(yīng)用于3D N

據(jù)報道，三星電子已與中國NAND Flash制造商長江存儲簽署協(xié)議，租借其3D NAND混合鍵合專利。該專利將用于三星的第10代3D NAND（V10）產(chǎn)品，預(yù)計2025年下半年量產(chǎn)，堆疊層數(shù)或達420~430層。qRS28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com


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長江存儲是首家將混合鍵合技術(shù)應(yīng)用于3D NAND的公司，擁有強大的專利組合。三星V10 NAND將引入晶圓對晶圓形式的混合鍵合技術(shù)，以提高效能和生產(chǎn)力。qRS28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com


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此前，三星主要采用COP制程，但隨著NAND堆疊層數(shù)增加，底部外圍電路壓力增大，因此決定引入混合鍵合技術(shù)。qRS28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com


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此舉被視為三星通過友好協(xié)議降低未來風險，同時加快技術(shù)開發(fā)速度的策略。業(yè)界人士指出，三星在新一代NAND開發(fā)中不太可能避開長江存儲的專利。qRS28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com


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此外，韓媒預(yù)期SK海力士也可能會與長江存儲簽署專利協(xié)議，以提高400層等級NAND產(chǎn)品的經(jīng)濟性和量產(chǎn)性。qRS28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

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