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三星租借長江存儲專利,規劃用于第10代3D NAND產品

來源: 責編: 時間:2025-02-26 12:33:41 30觀看
導讀據報道,三星電子已與中國NAND Flash制造商長江存儲簽署協議,租借其3D NAND混合鍵合專利。該專利將用于三星的第10代3D NAND(V10)產品,預計2025年下半年量產,堆疊層數或達420~430層。長江存儲是首家將混合鍵合技術應用于3D N

據報道,三星電子已與中國NAND Flash制造商長江存儲簽署協議,租借其3D NAND混合鍵合專利。該專利將用于三星的第10代3D NAND(V10)產品,預計2025年下半年量產,堆疊層數或達420~430層。R7U28資訊網——每日最新資訊28at.com


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長江存儲是首家將混合鍵合技術應用于3D NAND的公司,擁有強大的專利組合。三星V10 NAND將引入晶圓對晶圓形式的混合鍵合技術,以提高效能和生產力。R7U28資訊網——每日最新資訊28at.com


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此前,三星主要采用COP制程,但隨著NAND堆疊層數增加,底部外圍電路壓力增大,因此決定引入混合鍵合技術。R7U28資訊網——每日最新資訊28at.com


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此舉被視為三星通過友好協議降低未來風險,同時加快技術開發速度的策略。業界人士指出,三星在新一代NAND開發中不太可能避開長江存儲的專利。R7U28資訊網——每日最新資訊28at.com


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此外,韓媒預期SK海力士也可能會與長江存儲簽署專利協議,以提高400層等級NAND產品的經濟性和量產性。R7U28資訊網——每日最新資訊28at.com

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