近日,英特爾正式發布了其尖端的Intel 18A制程工藝,并宣布該技術已準備就緒。據預測,該工藝將于2025年年中實現量產,首發產品為酷睿Ultra 300系列處理器。
相較于之前的工藝節點,Intel 18A在能效和芯片密度上均有顯著提升,分別提高了15%和30%。此外,其SRAM密度也實現了重大改進,為客戶提供了更靈活的供應替代方案。
Intel 18A采用了RibbonFET環柵晶體管和PowerVia背面供電技術等創新技術。RibbonFET技術可實現電流的精確控制,進一步縮小芯片組件體積,同時減少漏電。
而PowerVia技術則將金屬和凸塊重新定位到芯片背面,提高了密度和單元利用率,降低了電阻供電下降。
值得一提的是,Intel 18A的量產時間將比臺積電的N2工藝領先近一年。此外,英特爾還在積極利用ASML最新的High NA EUV光刻機來擴大其技術優勢,為未來的芯片制造領域奠定堅實基礎。
隨著Intel 18A制程工藝的發布,英特爾再次展示了其在半導體領域的創新能力和領先地位。
本文鏈接:http://www.tebozhan.com/showinfo-27-133343-0.htmlIntel 18A制程工藝領先一步,2025年量產在即
聲明:本網頁內容旨在傳播知識,若有侵權等問題請及時與本網聯系,我們將在第一時間刪除處理。郵件:2376512515@qq.com
上一篇: 馬來西亞半導體產業崛起,強攻芯片設計領域