近日，位于光谷的先導化合物半導體研發生產基地項目傳來新進展。據長江日報消息，該項目的四座生產廠房中已有兩座封頂，另外兩座正在加緊建設，整個項目預計在2025年年底前實現投產運營。這一投資120億元的高端化合物半導體材料及芯片產業化基地，將成為國內化合物半導體領域的重要力量。mqB28資訊網——每日最新資訊28at.com

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該項目由全球稀散金屬龍頭企業先導科技集團投資建設，總建筑面積達26萬平方米，包含研發中心、生產調度中心和辦公大樓等19棟建筑。mqB28資訊網——每日最新資訊28at.com

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其中，M1廠房將用于砷化鎵襯底生產線，主要應用于5G射頻芯片；M2廠房為磷化銦襯底生產線，是光通信激光器的核心材料；M3廠房將承擔可調諧激光器的量產；M4廠房則是鍺片生產基地，用于紅外探測器的關鍵材料。mqB28資訊網——每日最新資訊28at.com

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項目達產后，預計年產8英寸襯底材料50萬片，滿足全球15%的高端需求。這不僅將有力補強光谷的光通信及激光產業供應鏈，還將推動國內化合物半導體產業的發展。mqB28資訊網——每日最新資訊28at.com

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化合物半導體被視為“后摩爾時代”的戰略材料，廣泛應用于5G通信、光通信、汽車電子、消費電子等領域。然而，我國在砷化鎵襯底和磷化銦襯底的進口依存度仍較高，分別達到83%和90%以上。先導科技集團的這一項目，有望在一定程度上緩解國內高端半導體材料的供應瓶頸。mqB28資訊網——每日最新資訊28at.com

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