俄羅斯：將審查iPhone等外國公司設(shè)備 保數(shù)據(jù)安全
iPhone和特斯拉都屬于在各自領(lǐng)域領(lǐng)頭羊的品牌，推出的產(chǎn)品也也都是數(shù)一數(shù)二的，但對(duì)于一些國家而言，它們的產(chǎn)品可靠性和安全性還是在限制范圍內(nèi)。近日，俄羅斯聯(lián)邦通信、信息技術(shù)
在半導(dǎo)體工藝的激烈競爭中，Intel、臺(tái)積電和三星三大巨頭正全力沖刺2nm節(jié)點(diǎn)，以期在未來的芯片市場中占據(jù)一席之地。近日，半導(dǎo)體研究機(jī)構(gòu)TechInsights和SemiWiki發(fā)布了Intel 18A（1.8nm級(jí)）和臺(tái)積電N2（2nm級(jí)）工藝技術(shù)的關(guān)鍵細(xì)節(jié)。
從能效角度來看，臺(tái)積電N2制程在相同電壓下可將功耗降低24%至35%，或?qū)⑿阅芴岣?5%，晶體管密度是上一代3nm工藝的1.15倍。這些指標(biāo)的提升得益于臺(tái)積電的新型全環(huán)繞柵極（GAA）納米片晶體管以及N2 NanoFlex設(shè)計(jì)技術(shù)。相比之下，三星SF2（2nm）相比上一代SF3（3nm）功耗降低了約25%，略遜于臺(tái)積電的30%左右。而Intel 18A的能效數(shù)據(jù)則因缺乏足夠?qū)Ρ刃畔⒍茨芗{入分析。
在性能方面，TechInsights通過標(biāo)準(zhǔn)化計(jì)算得出，Intel 18A的性能值為2.53，位居榜首；臺(tái)積電N2性能值為2.27，緊隨其后；三星SF2性能值為2.19，位列第三。在高密度邏輯單元晶體管密度方面，臺(tái)積電以313 MTx/mm2遙遙領(lǐng)先于三星的231 MTx/mm2和Intel的238 MTx/mm2。
對(duì)于尖端制程來說，良率是極為關(guān)鍵的議題。臺(tái)積電報(bào)告稱，其256Mb SRAM陣列的平均良率為>80%，峰值良率為>90%，顯示出出色的低缺陷密度。相比之下，三星第二代3nm因良率問題而苦苦掙扎，據(jù)傳僅20%，并因此失去客戶。而關(guān)于Intel 18A良率只有10%的傳聞，TechInsights強(qiáng)調(diào)這并非事實(shí)，實(shí)際良率要好得多。
據(jù)傳，臺(tái)積電將對(duì)其每片2nm晶圓收取約30,000美元的費(fèi)用，這一價(jià)格達(dá)到了3nm晶圓的1.5倍。然而，考慮到密度僅是3nm晶圓的1.15倍，這意味著晶體管成本的急劇增加，可能使得客戶難以接受。因此，有報(bào)道稱蘋果可能會(huì)因2nm高昂的價(jià)格而放棄率先采用。
在背面供電技術(shù)方面，Intel 18A有望成為2025年首個(gè)實(shí)施該技術(shù)的工藝制程。相比之下，三星的SF2P工藝將于2026年實(shí)施背面供電，而臺(tái)積電則可能需要等到2026年或2027年才能在其A16工藝上實(shí)施。
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