谷歌KDD'23工作：如何提升推薦系統(tǒng)Ranking模型訓(xùn)練穩(wěn)定性
谷歌在KDD 2023發(fā)表了一篇工作，探索了推薦系統(tǒng)ranking模型的訓(xùn)練穩(wěn)定性問題，分析了造成訓(xùn)練穩(wěn)定性存在問題的潛在原因，以及現(xiàn)有的一些提升模型穩(wěn)定性方法的不足，并提出了一種新
在半導(dǎo)體工藝的激烈競爭中，Intel、臺積電和三星三大巨頭正全力沖刺2nm節(jié)點，以期在未來的芯片市場中占據(jù)一席之地。近日，半導(dǎo)體研究機構(gòu)TechInsights和SemiWiki發(fā)布了Intel 18A（1.8nm級）和臺積電N2（2nm級）工藝技術(shù)的關(guān)鍵細(xì)節(jié)。
從能效角度來看，臺積電N2制程在相同電壓下可將功耗降低24%至35%，或?qū)⑿阅芴岣?5%，晶體管密度是上一代3nm工藝的1.15倍。這些指標(biāo)的提升得益于臺積電的新型全環(huán)繞柵極（GAA）納米片晶體管以及N2 NanoFlex設(shè)計技術(shù)。相比之下，三星SF2（2nm）相比上一代SF3（3nm）功耗降低了約25%，略遜于臺積電的30%左右。而Intel 18A的能效數(shù)據(jù)則因缺乏足夠?qū)Ρ刃畔⒍茨芗{入分析。
在性能方面，TechInsights通過標(biāo)準(zhǔn)化計算得出，Intel 18A的性能值為2.53，位居榜首；臺積電N2性能值為2.27，緊隨其后；三星SF2性能值為2.19，位列第三。在高密度邏輯單元晶體管密度方面，臺積電以313 MTx/mm2遙遙領(lǐng)先于三星的231 MTx/mm2和Intel的238 MTx/mm2。
對于尖端制程來說，良率是極為關(guān)鍵的議題。臺積電報告稱，其256Mb SRAM陣列的平均良率為>80%，峰值良率為>90%，顯示出出色的低缺陷密度。相比之下，三星第二代3nm因良率問題而苦苦掙扎，據(jù)傳僅20%，并因此失去客戶。而關(guān)于Intel 18A良率只有10%的傳聞，TechInsights強調(diào)這并非事實，實際良率要好得多。
據(jù)傳，臺積電將對其每片2nm晶圓收取約30,000美元的費用，這一價格達到了3nm晶圓的1.5倍。然而，考慮到密度僅是3nm晶圓的1.15倍，這意味著晶體管成本的急劇增加，可能使得客戶難以接受。因此，有報道稱蘋果可能會因2nm高昂的價格而放棄率先采用。
在背面供電技術(shù)方面，Intel 18A有望成為2025年首個實施該技術(shù)的工藝制程。相比之下，三星的SF2P工藝將于2026年實施背面供電，而臺積電則可能需要等到2026年或2027年才能在其A16工藝上實施。
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