據報道,三星計劃將其西安工廠升級至286層堆疊NAND Flash制程技術,以應對市場競爭。自2023年起,該工廠已從128層向236層技術發展,現決定進一步升級至286層。
新產線預計上半年引進設備,下半年月產2000-5000片晶圓。西安工廠是三星唯一的海外存儲芯片基地,占其NAND Flash產量約40%,升級后將大幅提升產能。
美國拜登政府給予三星VEU地位,使其能在中國生產200層以上堆疊NAND Flash,應對美國對華半導體出口限制。
三星在國內提升技術的同時,也在中國進行技術升級,以保持國內外競爭優勢。三星計劃2025年下半年在韓國平澤一號工廠初步量產400層堆疊NAND Flash。
盡管三星加速向236層和286層技術發展,但預計2025年第一季NAND Flash產量較2024年第四季減少約25%,受經濟因素影響,手機和PC市場需求下滑。
然而,人工智能數據中心等市場需求增長,推動三星生產高效能、高容量NAND Flash產品。
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