中國DRAM領先企業長鑫存儲正加速新一代DRAM開發與量產。其首款商用DDR5產品采用16納米制程，優于原計劃的17納米，而下一代15納米制程技術也將在2025年內完成開發，最快2026年下半年商用化。feN28資訊網——每日最新資訊28at.com

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長鑫存儲的16Gb DDR5產品，命名為“G4”，與上一代G3（18納米）相比，DRAM的Cell尺寸縮小20%。feN28資訊網——每日最新資訊28at.com

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盡管面臨美國出口管制，無法使用極紫外光（EUV）等先進設備，長鑫仍計劃利用現有設備開發更先進的制程技術。feN28資訊網——每日最新資訊28at.com

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長鑫此前主要生產基于17~18納米制程的DDR4和LPDDR4X，2024年成功推出中國首款LPDDR5，2025年初商用化DDR5。其G5制程目標鎖定15納米，計劃在2025年底前完成開發，若2026年成功完成樣品測試，市場將可見到G5制程產品。feN28資訊網——每日最新資訊28at.com

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