中國DRAM領(lǐng)先企業(yè)長鑫存儲(chǔ)正加速新一代DRAM開發(fā)與量產(chǎn)。其首款商用DDR5產(chǎn)品采用16納米制程,優(yōu)于原計(jì)劃的17納米,而下一代15納米制程技術(shù)也將在2025年內(nèi)完成開發(fā),最快2026年下半年商用化。
長鑫存儲(chǔ)的16Gb DDR5產(chǎn)品,命名為“G4”,與上一代G3(18納米)相比,DRAM的Cell尺寸縮小20%。
盡管面臨美國出口管制,無法使用極紫外光(EUV)等先進(jìn)設(shè)備,長鑫仍計(jì)劃利用現(xiàn)有設(shè)備開發(fā)更先進(jìn)的制程技術(shù)。
長鑫此前主要生產(chǎn)基于17~18納米制程的DDR4和LPDDR4X,2024年成功推出中國首款LPDDR5,2025年初商用化DDR5。其G5制程目標(biāo)鎖定15納米,計(jì)劃在2025年底前完成開發(fā),若2026年成功完成樣品測試,市場將可見到G5制程產(chǎn)品。
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