中國臺灣創意電子采用臺積電5奈米技術的HBM3 IP已通過矽驗證，并已推出采用3奈米技術的HBM3 IP。
ASIC廠商創意電子(GUC)日前宣布，該公司采用臺積電5奈米制程技術的HBM3 IP解決方案已通過8.4 Gbps矽驗證。此方案采用臺積電領先業界的CoWoS技術，以結合功能完善的HBM3控制器、實體層IP，以及廠商HBM3記憶體。該平臺已于 2023年臺積電北美技術論壇的合作伙伴展示區內公開展示。
自2020年起，許多客戶皆采用創意電子旗下的HBM控制器和實體層IP來進行 HPC ASIC生產。而HBM記憶體廠商正持續將傳輸率和記憶體大小從HBM3提升至HBM3E/P，并在HBM4進一步加寬訊號匯流排寬度。然而，在基本DRAM時序參數未改變的情況下，HBM控制器亦需不斷強化以提高匯流排利用率。創意電子的HBM3控制器可在隨機存取時，實現超過90%的匯流排利用率并保有低延遲性。
創意電子采用臺積電5奈米技術的HBM3 IP已通過矽驗證，并已推出采用3奈米技術的HBM3 IP。此IP支援臺積電的CoWoS-S和CoWoS-R，并可達到目前尚在規劃中的下一代HBM3E/P 記憶體的速度。